[发明专利]镀膜件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种镀膜件及其制备方法，尤其涉及一种具有抗指纹功能的镀膜件及该镀膜件的制备方法。

背景技术

传统技术中，早期抗指纹化处理一般是采用在不锈钢的镀锌层上形成铬酸盐层及特殊的树脂层。该方法首先需要在不锈钢板上电镀一层锌，然后施以铬酸盐处理，最后以滚压的方式涂上一层树脂，其工艺繁锁，且需要使用铬酸盐处理，环境污染严重，成本较高。

因此，为避免污染，降低成本，人们开始研究新的抗指纹材料。目前工业上使用较多的是在基体上喷涂一层有机化学物质，如抗指纹涂料和抗指纹油等，通过加热干燥使其附着在基体上。但是这种涂层的制备工艺也较复杂，而且掺杂于抗指纹涂料和抗指纹油中的有些填料还存在游离甲醛等，不利于环保和人体健康。另外，这种有机涂层耐磨性能差，使用一段时间后容易磨损，使得基体被暴露出来，防腐蚀性能大幅下降且影响美观。此外，抗指纹油的使用会使涂层表面看起来很油腻，大大降低了视觉美感。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种较为环保的、抗指纹性能佳且效果较为持久的镀膜件。

另外，还有必要提供一种上述镀膜件的制备方法。

一种镀膜件，其包括一基体及一抗指纹层，该抗指纹层包括依次形成于基体表面的非晶二氧化硅层及氟化非晶二氧化硅(SiO_xF_y)层，其中0＜x＜2，0＜y＜4。

一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供一基体；

以硅靶为靶材，以氧气为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该基体的表面溅镀非晶二氧化硅层；

以硅靶为靶材，以氧气、四氟化碳气体为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该非晶二氧化硅层的表面制备一氟化非晶二氧化硅(SiO_xF_y)层，其中0＜x＜2，0＜y＜4。

相较于现有技术，所述的镀膜件采用磁控溅射镀膜的方法在基体表面先形成一非晶二氧化硅层，再于非晶二氧化硅层的表面形成一氟化非晶二氧化硅层，得以实现较佳的抗指纹功能；通过于基体上形成非晶二氧化硅层后再通入四氟化碳气体以沉积氟化非晶二氧化硅层，可避免四氟化碳气体对基体的腐蚀。另外，所述的抗指纹层以磁控溅射镀膜的方法形成，相较于传统的抗指纹材料，其具有较好的耐磨性，可防止所述抗指纹层被磨损，使得所述的镀膜件的抗指纹功能更持久，外观上也更具有美感。另外，所述镀膜件及其制备方法较为环保。

附图说明

图1是本发明较佳实施方式的镀膜件的剖视示意图。

图2是本发明较佳实施方式的镀膜件的扫描电镜图。

图3是本发明较佳实施方式的磁控溅射镀膜机的俯视示意图。

主要元件符号说明

镀膜件                10

基体                  11

抗指纹层              13

非晶二氧化硅层        131

氟化非晶二氧化硅层    133

磁控溅射镀膜机        20

镀膜室                21

硅靶                  23

具体实施方式

请参阅图1，本发明一较佳实施方式的镀膜件10包括基体11及形成于基体11上的抗指纹层13。

基体11的材质可为金属或非金属，该金属材料可包括不锈钢、铝、铝合金、铜、铜合金、锌等。该非金属材料可包括陶瓷、玻璃等。

抗指纹层13包括依次形成于基体11表面的非晶二氧化硅层131及氟化非晶二氧化硅层133。该抗指纹层13可以磁控溅射镀膜法形成，如中频磁控溅射镀膜法。

所述非晶二氧化硅(SiO₂)层131为纳米级的非晶态结构，其厚度为450-600nm。

所述氟化非晶二氧化硅(SiO_xF_y)层133为纳米级的非晶态结构，其中0＜x＜2，0＜y＜4。

请参阅图2，为所述镀膜件10的扫描电镜图(放大10万倍)。可以看到，氟化非晶二氧化硅层133的表面形成有若干均匀且密集分布的纳米级乳突结构。该纳米级乳突结构会形成众多的纳米量级的气孔，当水或油铺展在抗指纹层13的表面时，气孔被水或油封住形成气封，该气封进而“拖住”水珠或油珠，使其不与抗指纹层13表面润湿，达到抗指纹效果。