[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括一基体，其特征在于：该镀膜件还包括一抗指纹层，该抗指纹层包括依次形成于基体表面的非晶二氧化硅层及氟化非晶二氧化硅(SiO_xF_y)层，其中0＜x＜2，0＜y＜4。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述非晶二氧化硅层为纳米级的非晶态结构，其厚度为450-600nm。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述氟化非晶二氧化硅层为纳米级的非晶态结构，其表面形成有若干均匀分布的纳米级乳突结构。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述抗指纹层以磁控溅射镀膜法形成。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基体的材质为金属或非金属。

6.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供一基体；

以硅靶为靶材，以氧气为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该基体的表面溅镀非晶二氧化硅层；

以硅靶为靶材，以氧气、四氟化碳气体为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该非晶二氧化硅层的表面制备一氟化非晶二氧化硅(SiO_xF_y)层，其中0＜x＜2，0＜y＜4。

7.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：溅镀所述非晶二氧化硅层对基体设置-100～-300V的偏压，溅镀温度为100-200℃，氧气的流量为100-250sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为300-500sccm，硅靶由射频电源控制，其功率为5-10kW，溅镀时间为20-60分钟。

8.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：制备所述氟化非晶二氧化硅层对基体设置-100～-300V的偏压，溅镀温度为100-200℃，氧气的流量为50-150sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为300-500sccm，四氟化碳的分压在0.45-0.63Pa之间，硅靶由射频电源控制，其射频功率密度为50-100W/cm²，处理时间为60-120分钟。

9.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在溅镀非晶二氧化硅层前于基体表面溅镀一硅的过渡层的步骤。

10.如权利要求9所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在溅镀硅的过渡层前对基体进行清洁前处理及等离子体清洗的步骤。