[发明专利]一种内置电容及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010611238.X 申请日: 2010-12-29
公开(公告)号: CN102543426A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 刘德波;陈冲;彭勤卫;孔令文 申请(专利权)人: 深南电路有限公司
主分类号: H01G4/002 分类号: H01G4/002;H01G4/005;H01G4/06;H05K1/18
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明适用于印制电路板领域,提供了一种内置电容及其制造方法,所述电容包括:下层电容电极;位于所述下层电容电极表面的介电层,所述介电层由介电材料采用喷墨打印技术喷印而成;位于所述介电层表面的导电种子层,所述导电种子层由导电靶材采用磁控溅射技术溅射而成;以及位于所述导电种子层表面的上层电容电极。本发明实施例采用喷墨打印技术喷印介电层,采用磁控溅射技术溅射导电种子层,提高了介电层的均匀度,降低了介电层的厚度,增强了介电层与电极间的结合力,从而减小了电容公差值,提高了内置电容的可靠性和比埋容值,工艺简单,满足高密度封装的需要。
搜索关键词: 一种 内置 电容 及其 制造 方法
【主权项】:
一种内置电容,其特征在于,所述电容包括:下层电容电极;位于所述下层电容电极表面的介电层,所述介电层由介电材料喷印而成;位于所述介电层表面的导电种子层,所述导电种子层由导电靶材磁控溅射而成;以及位于所述导电种子层表面的上层电容电极。
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