[发明专利]一种内置电容及其制造方法无效
| 申请号: | 201010611238.X | 申请日: | 2010-12-29 | 
| 公开(公告)号: | CN102543426A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 | 
| 发明(设计)人: | 刘德波;陈冲;彭勤卫;孔令文 | 申请(专利权)人: | 深南电路有限公司 | 
| 主分类号: | H01G4/002 | 分类号: | H01G4/002;H01G4/005;H01G4/06;H05K1/18 | 
| 代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 | 
| 地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 内置 电容 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明属于印制电路板领域,尤其涉及一种内置电容及其制造方法。
背景技术
内置电容是利用印制电路板在压合过程中将电容制作、封装于电路板中,以节省电路板空间,提高电学性能。随着电子器件向小型化、多功能化的发展方向,电子封装技术已进入高密度封装阶段,而高密度封装要求内置电容具有较高的比埋容值(即单位面积的电容值)和优良的可靠性,并且工艺简单、成本低。
但是,目前多采用丝印或者辊涂工艺制作内置电容,其介电层厚度较厚,均匀度也不好,介电层与电极间的结合力差,工艺复杂,单位面积电容值较低,电容公差值(即产品电容值与预设电容值的差值)较大,可靠性也较差,无法适应高密度封装的需要。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种内置电容,旨在解决现有的内置电容单位面积电容值低、可靠性差以及电容公差值较大的问题。
本发明实施例是这样实现的,一种内置电容,所述电容包括:
下层电容电极;
位于所述下层电容电极表面的介电层,所述介电层由介电材料喷印而成;
位于所述介电层表面的导电种子层,所述导电种子层由导电靶材磁控溅射而成;以及
位于所述导电种子层表面的上层电容电极。
本发明实施例的另一目的在于提供一种包括上述内置电容的埋入式电路板。
本发明实施例的另一目的在于提供一种内置电容的制造方法,所述方法包括下述步骤:
制备下层电容电极;
将介电材料喷印于所述下层电容电极表面,形成介电层;
将导电靶材磁控溅射于所述介电层表面,形成导电种子层;
在所述导电种子层表面制备上层电容电极。
本发明实施例采用喷墨打印技术喷印介电层,采用磁控溅射技术溅射导电种子层,提高了介电层的均匀度,降低了介电层的厚度,增强了介电层与电极间的结合力,从而减小电容公差值,提高了内置电容的可靠性和比埋容值,工艺简单,满足高密度封装的需要。
附图说明
图1为本发明一个实施例提供的内置电容刻蚀形成下层电容电极后的结构图;
图2为本发明一个实施例提供的喷印介电层后的内置电容结构图;
图3为本发明一个实施例提供的溅射导电种子层后的内置电容结构图;
图4为本发明一个实施例提供的电镀上层电容电极后的内置电容结构图;
图5为本发明一实施例提供的封装后的内置电容的结构图;
图6为本发明另一实施例提供的喷印介电层后的内置电容结构图;
图7为本发明另一实施例提供的溅射导电种子层后的内置电容结构图;
图8为本发明另一实施例提供的电镀上层电容电极后的内置电容结构图;
图9为本发明另一实施例提供的封装后的内置电容的结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例采用喷墨打印技术和磁控溅射技术制成介电层和导电种子层,提高了内置电容的比埋容值和可靠性,减小了内置电容的电容公差值。
本发明实施例是这样实现的,一种内置电容,所述电容包括:
下层电容电极;
位于所述下层电容电极表面的介电层,所述介电层由介电材料喷印而成;
位于所述介电层表面的导电种子层,所述导电种子层由导电靶材磁控溅射而成;以及
位于所述导电种子层表面的上层电容电极。
一种内置电容的制造方法,所述方法包括下述步骤:
制备下层电容电极;
将介电材料喷印于所述下层电容电极表面,形成介电层;
将导电靶材磁控溅射于所述介电层表面,形成导电种子层;
在所述导电种子层表面制备上层电容电极。
本发明实施例通过喷印制备介电层,通过磁控溅射制备导电种子层,提高了介电层的均匀度,降低了介电层的厚度,增强了介电层与电极间的结合力,工艺简单,满足高密度封装的需要。
以下结合具体实施例对本发明的实现进行详细说明。
图1为内置电容电极图形刻蚀后的结构,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分。
埋入式电路板的基板1上具有经过图形刻蚀的下层电容电极2,该下层电容电极2的图形可根据埋入式电路板的功能要求预先设定,并且由覆盖在基板表面上的金属导电层经过酸性刻蚀制成。
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