[发明专利]一种内置电容及其制造方法无效
| 申请号： | 201010611238.X | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102543426A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘德波;陈冲;彭勤卫;孔令文 | 申请（专利权）人： | 深南电路有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/002 | 分类号： | H01G4/002;H01G4/005;H01G4/06;H05K1/18 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 内置 电容 及其 制造 方法 | ||
1.一种内置电容，其特征在于，所述电容包括：
下层电容电极；
位于所述下层电容电极表面的介电层，所述介电层由介电材料喷印而成；
位于所述介电层表面的导电种子层，所述导电种子层由导电靶材磁控溅射而成；以及
位于所述导电种子层表面的上层电容电极。
2.如权利要求1所述的电容，其特征在于，所述介电材料为高介电墨水。
3.如权利要求1所述的电容，其特征在于，所述导电靶材为金属镍。
4.一种埋入式电路板，其特征在于，所述电路板包括如权利要求1至3任一项所述的内置电容。
5.一种内置电容的制造方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
制备下层电容电极；
将介电材料喷印于所述下层电容电极表面，形成介电层；
将导电靶材磁控溅射于所述介电层表面，形成导电种子层；
在所述导电种子层表面制备上层电容电极。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述制备下层电容电极通过对基板上的金属导电层进行刻蚀图形而成；
所述介电层通过将介电材料喷印于所述下层电容电极表面以及外露的基板表面而成。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述制备上层电容电极的步骤具体为：
在所述导电种子层表面贴一层干膜；
通过显影去掉部分所述干膜，使所述导电种子层外露出与所述下层电容电极相同且重叠的预设电极图形；
于外露的所述导电种子层表面电镀生长一层金属材料形成所述上层电容电极。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成导电种子层的步骤具体为：
于所述介电层表面贴一层干膜；
通过显影去掉部分所述干膜，使所述介电层外露出与所述下层电容电极相同且重叠的预设电极图形；
磁控溅射一层导电靶材于所述介电层表面；
所述制备上层电容电极通过在所述导电种子层表面电镀生长一层金属材料形成。
9.如权利要求5至8任一项所述的方法，其特征在于，所述介电材料为高介电墨水。
10.如权利要求5至8任一项所述的方法，其特征在于，所述导电靶材为金属镍。
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