[发明专利]制造太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 201010609210.2 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102157605A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 黄初旺;翟静宜 | 申请（专利权）人： | 杜邦太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红;郑焱 |
| 地址： | 中国香港新界白石角香港科学园*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此揭露一种制造太阳能电池的方法。此方法包含以下步骤：提供一基板；以具有复数个突起部的一物件触碰基板的表面，藉此在此表面上形成复数个压痕；随后，在基板的压痕表面上形成一透明导电层；在该透明导电层上形成一光伏层；接着在该光伏层上方形成一背面电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
一种制造太阳能电池的方法，包含以下步骤：提供具有一表面的一基板；以具有复数个突起部的一物件抵压该基板的该表面，且藉此在该表面上形成复数个压痕；在该基板的该压痕表面上形成一透明导电层；在该透明导电层上形成一光伏层；以及在该光伏层上方形成一背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
