[发明专利]制造太阳能电池的方法无效
| 申请号: | 201010609210.2 | 申请日: | 2010-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN102157605A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
| 发明(设计)人: | 黄初旺;翟静宜 | 申请(专利权)人: | 杜邦太阳能有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红;郑焱 |
| 地址: | 中国香港新界白石角香港科学园*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 太阳能电池 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种制造太阳能电池的方法,且特别是有关于一种形成具有纹理结构的太阳能电池的方法。
背景技术
太阳能似乎是一种用之不竭的能源,因此太阳能的相关研究引起许多注意。太阳能电池便是为了将太阳能直接转换成电能而开发的装置。
当前,太阳能电池通常由单晶硅、多晶硅或非晶硅制成。在2005年,开发了一种具有24.7%的高效率的太阳能电池,其为射极钝化背面局部扩散(Passivated Emitter with Rear Locally Diffused,PERLD)太阳能电池。在PERLD太阳能电池中,角锥状结构形成于透明导电层的表面上,以用于将入射光截留在该太阳能电池中。此外,在该太阳能电池中使用高质量硅晶圆。然而,该些类型太阳能电池的生产不仅需要高质量的硅晶圆,亦需要复杂的工艺,进而使制造程序成本高效益低。
为改良上述问题,有人曾揭露一种藉由喷砂工艺来形成具纹理结构的玻璃基板。然而,藉由喷砂工艺所形成的玻璃基板实质上具有不同的纹理结构。亦即,一玻璃基板上形成的纹理结构不同于另一玻璃基板。因此,在大量生产期间,可能不易达成质量控制,尤其是纹理玻璃的重复性难以达成。
最近,开发一种用于太阳能电池中的纹理透明导电氧化物(TCO)。例如,藉由沉积工艺而形成掺杂氟的二氧化锡(SnO2:F)的纹理层。掺杂氟的二氧化锡能够形成所要结晶表面,当在约500℃至600℃的温度下沉积时,其可形成柱状或角锥状的纹理结构。然而,必须在此高温下进行工艺,使制造程序成本高效益低。
因此,目前仍亟需一种能解决上述问题的改良的制造方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制造太阳能电池的方法,以解决上述背景技术中的至少一个问题。
本发明提供一种制造太阳能电池的方法。该方法包含以下步骤。提供具有一表面的一基板。应用具有复数个突起部的一导电物,以在该基板的表面上产生所要的图案,其可藉由对该导电物施加电压来进行。在该基板上形成复数个压痕。随后,在该透明基板的压痕表面上形成一透明导电层,在该透明导电层上形成一光伏层,且接着在该光伏层上形成一背面电极。
根据本发明的一实施方式,上述方法还包含以下步骤:在该物件的该些突起部抵压该基板的该表面之前或与此同时,量测该物件与该基板的该表面之间的一垂直距离。
根据本发明的一实施方式,上述方法还包含以下步骤:在该物件的该些突起部抵压该基板的该表面同时,藉由调整一补偿偏压来旋转该物件。
根据本发明的一实施方式,上述方法还包含以下步骤:在该物件的该些突起部抵压该基板的该表面同时,沿着与该基板的该表面平行的一方向来移动该物件。
根据本发明的一实施方式,该移动该物件的步骤藉由向该物件施加一补偿偏压来控制。其中该补偿偏压在1mV至10mV之间。
根据本发明的一实施方式,每一该些突起部的材料系由选自由石英、黄玉((AlF2)SiO4)、氮化钛(TiN)、钒土(Al2O3)、碳化硅(SiC)以及金刚石所组成的群组。
根据本发明的一实施方式,每一该些突起部的高度为约3μm至约17μm。
根据本发明的一实施方式,该基板的该压痕表面的一算术平均粗糙度为约10nm至约40nm。
根据本发明的一实施方式、该透明导电层包含至少一材料,该材料选自由氧化铟锡;氧化锌;掺杂铝、氟、镓或硼的氧化锌;硫化镉;氧化镉;氧化锡以及掺杂氟的二氧化锡所组成的群组。
本发明揭露的制造太阳能电池的方法,可提高光电转换效率,且具极佳的再现性,同时降低生产成本。
附图说明
为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附图式的说明如下:
图1A至图1E绘示本发明一实施方式的制造太阳能电池的各步骤的横截面示意图。
图2为根据本发明一实施例的制造太阳能电池的方法的流程图。
图3A及图3B为本发明的一实施方式的物件的横截面示意图。
图3C至图3E为本发明的一实施方式的物件的俯视示意图。
图4为根据本发明的一实施方式的物件的移动方式示意图。
主要附图标记说明
100 基板
110 表面
120 压痕
130 压痕表面
200 物件
210 突起部
300 透明导电层
400 光伏层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





