[发明专利]制造太阳能电池的方法无效
| 申请号: | 201010609210.2 | 申请日: | 2010-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN102157605A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
| 发明(设计)人: | 黄初旺;翟静宜 | 申请(专利权)人: | 杜邦太阳能有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红;郑焱 |
| 地址: | 中国香港新界白石角香港科学园*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 太阳能电池 方法 | ||
1.一种制造太阳能电池的方法,包含以下步骤:
提供具有一表面的一基板;
以具有复数个突起部的一物件抵压该基板的该表面,且藉此在该表面上形成复数个压痕;
在该基板的该压痕表面上形成一透明导电层;
在该透明导电层上形成一光伏层;以及
在该光伏层上方形成一背面电极。
2.如权利要求1所述的方法,还包含以下步骤:在该物件的该些突起部抵压该基板的该表面之前或与此同时,量测该物件与该基板的该表面之间的一垂直距离。
3.如权利要求1所述的方法,还包含以下步骤:在该物件的该些突起部抵压该基板的该表面的同时,藉由调整一补偿偏压来旋转该物件。
4.如权利要求1所述的方法,还包含以下步骤:在该物件的该些突起部抵压该基板的该表面的同时,沿着与该基板的该表面平行的一方向来移动该物件。
5.如权利要求4所述的方法,其中该移动该物件的步骤藉由向该物件施加一补偿偏压来控制。
6.如权利要求5所述的方法,其中该补偿偏压在1mV至10mV之间。
7.如权利要求1所述的方法,其中每一该些突起部的材料选自由石英、黄玉、氮化钛、钒土、碳化硅以及金刚石所组成的群组。
8.如权利要求1的方法,其中每一该些突起部的高度为约3μm至约17μm。
9.如权利要求1的方法,其中该基板的该压痕表面的一算术平均粗糙度为约10nm至约40nm。
10.如权利要求1的方法,其中该透明导电层包含至少一材料,该材料选自由氧化铟锡;氧化锌;掺杂铝、氟、镓或硼的氧化锌;硫化镉;氧化镉;氧化锡以及掺杂氟的二氧化锡所组成的群组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





