[发明专利]半导体装置及其半导体工艺无效

专利信息
申请号: 201010602272.0 申请日: 2010-12-13
公开(公告)号: CN102130041A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 郑斌宏 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/528;H01L23/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明关于一种半导体装置及其半导体工艺。本发明的半导体装置包括一半导体基板、至少一导电孔及至少一绝缘环。该半导体基板具有一第一表面。该导电孔位于该半导体基板内。每一导电孔具有一导体及一绝缘墙位于该导体的外围,且该导电孔显露于该半导体基板的第一表面。该绝缘环位于该导电孔的外围,且该绝缘环的深度小于该绝缘墙的深度。因为该绝缘环位于该导电孔的外围,该绝缘环能保护该导电孔的末端,使其不受到损伤。此外,该绝缘环及该导电孔的尺寸大于已知导电孔的尺寸,本发明的半导体装置能利用表面处理层、重布层或球下金属层轻易连接其它半导体装置。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 工艺
【主权项】:
一种半导体工艺,其包含:(a)提供一半导体装置,其具有一半导体基板及至少一导电孔,其中该半导体基板具有一第一表面,该导电孔位于该半导体基板内,该导电孔包括一导体及一绝缘墙位于该导体的外围,且该导电孔显露于该半导体基板的第一表面;(b)于该半导体基板的第一表面,形成一孔洞于该导电孔的外围,其中该孔洞并未贯穿该半导体基板;及(c)形成一绝缘环于该导电孔的外围,其中将一绝缘材料填入该孔洞,该绝缘环的深度小于该绝缘墙的深度。
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