[发明专利]半导体装置及其半导体工艺无效
| 申请号: | 201010602272.0 | 申请日: | 2010-12-13 | 
| 公开(公告)号: | CN102130041A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 | 
| 发明(设计)人: | 郑斌宏 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/48 | 
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 | 
| 地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | 本发明关于一种半导体装置及其半导体工艺。本发明的半导体装置包括一半导体基板、至少一导电孔及至少一绝缘环。该半导体基板具有一第一表面。该导电孔位于该半导体基板内。每一导电孔具有一导体及一绝缘墙位于该导体的外围,且该导电孔显露于该半导体基板的第一表面。该绝缘环位于该导电孔的外围,且该绝缘环的深度小于该绝缘墙的深度。因为该绝缘环位于该导电孔的外围,该绝缘环能保护该导电孔的末端,使其不受到损伤。此外,该绝缘环及该导电孔的尺寸大于已知导电孔的尺寸,本发明的半导体装置能利用表面处理层、重布层或球下金属层轻易连接其它半导体装置。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 工艺 | ||
【主权项】:
                一种半导体工艺,其包含:(a)提供一半导体装置,其具有一半导体基板及至少一导电孔,其中该半导体基板具有一第一表面,该导电孔位于该半导体基板内,该导电孔包括一导体及一绝缘墙位于该导体的外围,且该导电孔显露于该半导体基板的第一表面;(b)于该半导体基板的第一表面,形成一孔洞于该导电孔的外围,其中该孔洞并未贯穿该半导体基板;及(c)形成一绝缘环于该导电孔的外围,其中将一绝缘材料填入该孔洞,该绝缘环的深度小于该绝缘墙的深度。
            
                    下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
                
                
            该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010602272.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子器件及其生产方法
- 下一篇:半导体元件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





