[发明专利]半导体装置及其半导体工艺

权利要求书

1.一种半导体工艺，其包含：

(a)提供一半导体装置，其具有一半导体基板及至少一导电孔，其中该半导体基板具有一第一表面，该导电孔位于该半导体基板内，该导电孔包括一导体及一绝缘墙位于该导体的外围，且该导电孔显露于该半导体基板的第一表面；

(b)于该半导体基板的第一表面，形成一孔洞于该导电孔的外围，其中该孔洞并未贯穿该半导体基板；及

(c)形成一绝缘环于该导电孔的外围，其中将一绝缘材料填入该孔洞，该绝缘环的深度小于该绝缘墙的深度。

2.如权利要求1的半导体工艺，其中该步骤(b)包括：

(b1)形成一光阻层于该半导体基板的第一表面；

(b2)形成一第一开口于该光阻层内，该第一开口的位置对应该孔洞及该导电孔，其中该第一开口的截面积大于该导电孔的截面积；

(b3)根据该第一开口蚀刻部分该半导体基板的第一表面以形成该孔洞；及

(b4)移除该光阻层。

3.如权利要求1的半导体工艺，其中该步骤(c)包括：

(c1)形成该绝缘材料于该半导体基板的第一表面及该孔洞内；及

(c2)移除部分该绝缘材料以显露该导电孔及该绝缘环。

4.如权利要求3的半导体工艺，其中经由研磨或化学机械研磨移除部分该绝缘材料。

5.如权利要求1的半导体工艺，更包括：

(d)形成一保护层于该半导体基板的第一表面，该保护层具有一第二开口以显露该导电孔及部分该绝缘环；

(e)形成一重布层于该导电孔、该第二开口内的部分该绝缘环及部分该保护层上；及

(f)形成一球下金属层于该重布层上。

6.如权利要求1的半导体工艺，在步骤(c)之后更包括一移除部分该半导体基板的第一表面的步骤，使部分该导电孔及该绝缘环凸出于该第一表面。

7.如权利要求1的半导体工艺，在步骤(c)之后更包括一形成一表面处理层于该导电孔上的步骤。

8.一种半导体装置，包括：

一半导体基板，具有一第一表面；

至少一导电孔，位于该半导体基板内，每一导电孔具有一导体及一绝缘墙位于该导体的外围，且该导电孔显露于该半导体基板的第一表面；及

至少一绝缘环，位于该导电孔的外围，该绝缘环的深度小于该绝缘墙的深度。

9.如权利要求8的半导体装置，其中该半导体基板更包括至少一孔洞位于该导电孔的外围，该孔洞并未贯穿该半导体基板，且一绝缘材料填入该孔洞以形成该绝缘环。

10.如权利要求8的半导体装置，更包括：

一保护层，位于该半导体基板的第一表面，该保护层具有一第二开口以显露该导电孔及部分该绝缘环；

一重布层，位于该导电孔、该第二开口内的部分该绝缘环及部分该保护层上；及

一球下金属层，位于该重布层上。

11.如权利要求8的半导体装置，其中部分该导电孔及该绝缘环凸出于该第一表面。

12.如权利要求8的半导体装置，其中该绝缘环的厚度不大于10μm。

13.如权利要求8的半导体装置，其中该绝缘环的外径不大于50μm。

14.如权利要求8的半导体装置，其中该绝缘环的深度不大于30μm。

15.如权利要求8的半导体装置，更包括一表面处理层位于该导电孔上。