[发明专利]一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料无效

专利信息
申请号: 201010599096.X 申请日: 2010-12-21
公开(公告)号: CN102129905A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 刘国栋;卢遵铭;代学芳;张小明;刘何燕;罗鸿志;孟凡斌 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: H01F1/047 分类号: H01F1/047;H01L43/10;C22C1/02;C22C27/02
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300401 天*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明为一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料。该材料的化学式为:VxCoyNzMw,其中,N是III-V族元素;M为过渡族元素;2≥x>1,2>y≥0,z=1,1≥w≥0,x+y+z+w=4。该材料的制备方法为(1).按化学式VxCoyNzMw配比称料放入电弧坩埚内,其中,(2).将电弧炉抽真空到1×10-1-1×10-6Pa后,充入氩气,在0.01MPa到1MPa正压力或者流动氩气的保护下进行电弧熔炼2-3分钟,后冷却;重复熔炼3-5次,使合金材料分布均匀,最后得到产品。本发明的半金属磁性材料自旋极化率在90-100%之间,在实际测量上在80-96.2%之间,表现出了极高的材料自旋极化率。
搜索关键词: 一种 具有 自旋 极化 金属 磁性材料
【主权项】:
一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料,其特征为该材料的化学式为:VxCoyNzMw,其中,N是III‑V族元素;M为过渡族元素;2≥x>1,2>y≥0,z=1,1≥w≥0,x+y+z+w=4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010599096.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top