[发明专利]一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料无效
| 申请号: | 201010599096.X | 申请日: | 2010-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN102129905A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
| 发明(设计)人: | 刘国栋;卢遵铭;代学芳;张小明;刘何燕;罗鸿志;孟凡斌 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
| 主分类号: | H01F1/047 | 分类号: | H01F1/047;H01L43/10;C22C1/02;C22C27/02 |
| 代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 赵凤英 |
| 地址: | 300401 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 自旋 极化 金属 磁性材料 | ||
1.一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料,其特征为该材料的化学式为:VxCoyNzMw,其中,N是III-V族元素;M为过渡族元素;2≥x>1,2>y≥0,z=1,1≥w≥0,x+y+z+w=4。
2.如权利要求1所述的具有高自旋极化率的半金属磁性材料,其特征为所述的III-V族元素具体为Al、Ga、In、Si、Ge、Sn和Sb中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的具有高自旋极化率的半金属磁性材料,其特征为所述的过渡族元素为V、Cr、Mn、Fe和Ni中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的具有高自旋极化率的半金属磁性材料的制备方法,其特征为包括如下步骤:
(1).按化学式VxCoyNzMw配比称料放入电弧坩埚内,其中,
N是III-V族元素中Al、Ga、In、Si、Ge、Sn和Sb中的一种或多种,M为过渡族元素中V、Cr、Mn、Fe和Ni中的一种或多种;2≥x>1,2>y≥0,z=1,1≥w≥0,x+y+z+w=4;
(2).将电弧炉抽真空到1×10-1-1×10-6Pa后,充入氩气,在0.01MPa到1MPa正压力或者流动氩气的保护下进行电弧熔炼2-3分钟,后冷却;重复熔炼3-5次,使合金材料分布均匀,最后得到产品。
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