[发明专利]电可编程可擦除非易失存储点的编程方法及相应存储设备无效
| 申请号： | 201010599041.9 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102097126A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 弗朗索瓦·塔耶特 | 申请（专利权）人： | ST微电子(鲁塞)有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供一种电可编程可擦除非易失存储点的编程方法及相应存储设备。电可编程可擦除非易失性存储点可以具有连接到位线和地线的至少一个浮置栅晶体管，并且能够利用编程电压被编程。在所述存储点的擦除阶段，第一负电压可以施加于位线和地线。所述第一电压的绝对值可以小于PN二极管的阈值。小于所述编程电压的第二正电压可以施加于浮置栅晶体管的控制栅。所述第二电压与所述第一电压之差可以等于所述编程电压，并且在写入阶段，所述第一负电压可以施加于浮置栅晶体管的控制栅，并且所述第二电压可以施加于位线。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 除非 存储 编程 方法 相应 设备 | ||
【主权项】：
一种对电可编程可擦除非易失性存储点进行编程的方法，所述存储点具有连接到位线和地线(BGND)的至少一个浮置栅晶体管，并且能够利用编程电压(Vpp)被编程，其特征在于，在所述存储点的擦除阶段，第一负电压(V‑)施加于位线(BL)和地线(BGND)，该第一电压(V‑)的绝对值小于PN二极管的阈值，同时小于所述编程电压的第二正电压(V2)施加于浮置栅晶体管(TGF)的控制栅(CG)，所述第二电压(V2)与所述第一电压(V‑)之差等于所述编程电压，并且在所述存储点(PTM)的写入阶段，所述第一负电压(V‑)施加于浮置栅晶体管(TGF)的控制栅，并且所述第二电压(V2)施加于位线。
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