[发明专利]电可编程可擦除非易失存储点的编程方法及相应存储设备

权利要求书

1.一种对电可编程可擦除非易失性存储点进行编程的方法，所述存储点具有连接到位线和地线(BGND)的至少一个浮置栅晶体管，并且能够利用编程电压(Vpp)被编程，其特征在于，在所述存储点的擦除阶段，第一负电压(V-)施加于位线(BL)和地线(BGND)，该第一电压(V-)的绝对值小于PN二极管的阈值，同时小于所述编程电压的第二正电压(V2)施加于浮置栅晶体管(TGF)的控制栅(CG)，所述第二电压(V2)与所述第一电压(V-)之差等于所述编程电压，并且在所述存储点(PTM)的写入阶段，所述第一负电压(V-)施加于浮置栅晶体管(TGF)的控制栅，并且所述第二电压(V2)施加于位线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中浮置栅晶体管(TGF)是通过单井技术制成的N沟道MOS晶体管，并且在施加约15.5伏的第二正电压(V2)时，施加约-0.5伏的第一负电压(V-)。

3.一种存储设备，包括具有至少一个电可编程可擦除非易失性存储点(PTM)的存储板(PM)和被配置为利用编程电压(Vpp)对所述存储点进行编程的存储点编程装置，所述存储点具有连接到位线(BL)和地线(BGND)的至少一个浮置栅晶体管(TGF)，其特征在于，所述编程装置包括第一装置(PCHN)、第二装置(PCHP，GENR)和控制装置(COM、TRNCG、TRNBL、TN10、TN11)，所述第一装置(PCHN)被配置为产生绝对值小于PN二极管的阈值的第一负电压(V-)，所述第二装置(PCHP，GENR)被配置为产生小于所述编程电压(Vpp)的第二正电压(V2)，所述第二电压与所述第一电压之差等于所述编程电压，所述控制装置(COM、TRNCG、TRNBL、TN10、TN11)被配置为在所述存储点的擦除阶段期间，将所述第一负电压施加于位线(BL)和地线(BGND)，并将所述第二正电压(V2)施加于浮置栅晶体管(TGF)的控制栅(CG)，并且在所述存储点的写入阶段期间，将所述第一负电压(V-)施加于浮置栅晶体管的控制栅(CG)，并将所述第二正电压(V2)施加于位线。

4.根据权利要求3所述的设备，其中浮置栅晶体管(TGF)是通过单井技术在半导体衬底中制成的N沟道MOS晶体管，所述第一负电压约为-0.5伏，而所述第二正电压约为15.5伏。

5.根据权利要求3或4所述的设备，其中所述第一装置(PCHN)包括负电荷泵电路。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述负电荷泵电路具有用于接收控制电压的输入端、用于输送所述第一负电压的输出端、连接到所述输入端的第一电容器、连接在所述第一电容器与地之间的第一二极管、连接在所述输出端与地之间的第二电容器、连接在这两个电容器之间的电荷传输二极管以及连接在所述传输二极管与地之间的第二二极管。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的设备，其中所述控制装置包括：

开关(COM)，具有第一输出端(S1)、第二输出端(S2)、第三输出端(S3)、控制电路和连接到所述第一装置(PCHN)的输出端的输入端(E1)，所述控制电路被配置为接收具有表示编程操作的第一逻辑值(PROGRAM＝1)的编程逻辑信号(PROGRAM)以及具有表示擦除的第一逻辑值(E/W＝1)和表示写入操作的第二逻辑值(E/W＝0)的写入/擦除逻辑信号(E/W)，并且在给出所述编程逻辑信号的第一逻辑值(PROGRAM＝1)和所述写入/擦除信号的第二逻辑值(E/W＝0)时，将所述第一输出端(S1)连接到所述输入端(E1)，并将所述第三输出端(S3)连接到地，并且在给出所述编程逻辑信号的第一逻辑值(PROGRAM＝1)和所述写入/擦除信号的第一逻辑值(E/W＝1)时，将所述第一输出端(S1)连接到地，并将所述第二输出端(S2)和所述第三输出端(S3)连接到所述输入端(E1)，

和接通/关断开关(TN10)，连接在所述开关的第二输出端(S2)与所述地线(BGND)之间，并且通过所述写入/擦除信号(E/W＝1)可控制，

第一电平变换器(TRNCG)，通过所述写入/擦除逻辑信号(E/W)可控制，并具有连接到所述开关(COM)的第一输出端(S1)的输入端(BE)和连接到所述控制栅(CG)的输出端(BS)，

第二电平变换器(TRNBL)，通过所述写入/擦除逻辑信号(E/W)的补码可控制，并且具有连接到所述开关的第三输出端(S3)的输入端(BE)和连接到所述位线(BL)的输出端(BS)。