[发明专利]具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010597815.4 申请日: 2010-12-21
公开(公告)号: CN102088062A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 俞东斌;蒋雪茵;周帆;陈雪;王蕊;张志林 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制备方法。本发光器件依次由ITO玻璃基板、ITO修饰层、空穴传输层、发光层、电子传输层、复合阴极构成。各结构层均采用真空蒸发方法制备,其中复合空穴传输层是采用双源共蒸的方法制备。本发明结构中,空穴传输层是有两种不同空穴迁移率的材料NPB和m-MTDATA构成。这种具有复合空穴传输层的有机电致发光器件是通过调节空穴传输层中两种材料的掺杂比来调节其空穴迁移率,使得有机电致发光器件中载流子平衡,这样极大的提高了器件的发光效率,并且能够有效的抑制器件在较高驱动电流下载流子的电流淬灭效应。采用这种结构的有机电致发光器件,可以广泛应用到有机电致发光显示器件上。
搜索关键词: 具有 复合 空穴 传输 有机 电致发光 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种具有复合空穴传输层的有机电致发光器件,包括一个ITO玻璃基板(1),其上依次设有ITO修饰层(2)、空穴传输层(3)、发光层(4)、电子传输层(5)和复合阴极(6),其特征在于,所述空穴传输层(3)为复合空穴传输层,所述复合空穴传输层由具有高空穴迁移率的材料NPB和具有低空穴迁移率的材料m‑MTDATA掺杂形成,所述空穴传输层(3)中m‑MTDATA的掺杂比为1~7 mol%。
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