[发明专利]具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（Organic Light Emitting Device，OLED）具有超轻薄、可挠性、响应快、低功耗及制作简单等特性，在平板显示器、液晶背光模组以及照明等领域具有很大的应用潜力。OLED研究的核心问题主要集中于提高发光效率、降低驱动电压从而降低功率消耗以及提高器件稳定性等方面。

为了提高器件的发光效率，应尽量使发光层中的电子和空穴相匹配。而在OLED器件中，空穴数目通常远大于电子，其主要原因是最常用的空穴传输材料(如NPB)的空穴迁移率要远远高于电子传输材料(如Alq₃)的电子迁移率。因此，提高电子迁移率或减小空穴迁移率成为改善OLED发光效率的重要方法之一。在以往的研究中，通过制备新材料来使得OLED器件中的空穴-电子平衡，比如制备新型的电子传输材料来提高电子迁移率，或者制备与现有的较低电子迁移率相匹配的空穴传输材料，来促进空穴-电子对平衡，从而提高器件的发光效率。然而上述方法不具有普遍适用性，因为只有空穴传输材料的空穴迁移率和特定的电子传输材料的电子迁移率（电子传输材料的电子迁移率和空穴传输材料的特定的空穴迁移率）相匹配时，才能获得最高的发光效率。

发明内容

本发明的目的在于解决已有技术存在的问题，提供一种具有高发光效率、低功耗的、具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制作方法。

为达到上述目的，本发明的构思是：

一种具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制备方法，通过两种不同空穴迁移率的材料掺杂，调节复合空穴传输层迁移率，从而制得具有极高的发光效率的器件。并且可以根据不同的电子传输材料，通过调节两种空穴传输材料的掺杂比，来调节复合空穴传输的空穴迁移率，因此，采用该结构的有机电致发光器件可以根据不同电子传输层来配置复合空穴传输层的掺杂比，从而使有机电致发光器件的发光效率达到最高。

为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种具有复合空穴传输层的有机电致发光器件，包括一个ITO玻璃基板，其上依次有ITO修饰层、空穴传输层、发光层、电子传输层和复合阴极，该空穴传输层为复合空穴传输层，复合空穴传输层由两种材料分别为具有高空穴迁移率的材料NPB和具有低空穴迁移率的材料m-MTDATA掺杂形成，其中m-MTDATA的掺杂比为1～7 mol%。

上述ITO修饰层所用材料为MoO₃、WO₃、Ag₂O中任意一种。

上述复合空穴传输层为NPB和m-MTDATA掺杂制备而成。

上述发光层所采用的材料为Alq₃。

上述电子传输层所用材料为Alq₃、Bphen、BCP、PDB中任意一种。

上述复合阴极为LiF/Al、CsO_x/Al、Mg-Ag中任意一种。 

根据本发明的目的，上述有机电致发光器件的制造方法，是在ITO玻璃基板上依次ITO修饰层、复合空穴传输层、发光层、电子传输层以及复合阴极。

上述制作方法的工艺步骤如下：

（1）选择符合要求尺寸和表面电阻的ITO玻璃基板，清洗后烘干，并用UV-Ozone处理；

（2）采用真空蒸发的方法，在上述ITO玻璃基板(1)上蒸镀上ITO修饰层；

（3）采用真空双源共蒸的方法，在上述ITO修饰层上，制备[NPB:m-MTDATA]复合空穴传输层，通过严格控制两种材料的蒸发速率(蒸发速率为0.01 nm/s~1 nm/s)来控制复合空穴传输层的掺杂比；

（4）采用真空蒸发的方法，在上述复合空穴传输层上蒸镀Alq₃作为发光层；

（5）采用真空蒸发的方法，在上述发光层蒸镀上电子传输层；

（6）采用真空蒸发的方法，在上述电子传输层上复合阴极。

上述有机化合物、无机化合物和金属均采用真空蒸镀的方法。具有复合空穴传输层的有机电致发光器件的各结构层均采用真空蒸发方法制备，其中复合空穴传输层是采用双源共蒸的方法制备，复合空穴传输层采用真空双源共蒸要严格控制每一种材料的蒸发速度。