[发明专利]具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制造方法

权利要求书

1. 一种具有复合空穴传输层的有机电致发光器件，包括一个ITO玻璃基板(1)，其上依次设有ITO修饰层(2)、空穴传输层(3)、发光层(4)、电子传输层(5)和复合阴极(6)，其特征在于，所述空穴传输层(3)为复合空穴传输层，所述复合空穴传输层由具有高空穴迁移率的材料NPB和具有低空穴迁移率的材料m-MTDATA掺杂形成，所述空穴传输层(3)中m-MTDATA的掺杂比为1～7 mol%。

2. 根据权利要求1所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件，其特征在于，所述ITO修饰层(2)采用的材料为MoO₃、WO₃或是Ag₂O的任意一种。

3. 根据权利要求1所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层(4)采用的材料为Alq₃。

4. 根据权利要求1所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层(5)采用的材料为Alq₃、Bphen、BCP、PDB中任意一种。

5. 根据权利要求1所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件，其特征在于，所述复合阴极(6) 采用的材料为LiF/Al、CsO_x/Al、Mg-Ag中任意一种。

6. 根据权利要求1所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件，其特征在于，采用ITO/MoO₃/[NPB：m-MTDATA(x mol%)]/ Alq3/(LiF/Al)结构。

7. 一种权利要求1所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

a.选择ITO玻璃基板(1)，清洗后烘干，并用UV-Ozone处理；

b.采用真空蒸发的方法，在所述ITO玻璃基板(1)上蒸镀ITO修饰层(2)；

c.采用真空双源共蒸的方法，在所述ITO修饰层(2)上制备空穴传输层(3)；

d.采用真空蒸发的方法，在所述空穴传输层(3)上蒸镀发光层(4)；

e.采用真空蒸发的方法，在所述发光层(4) 上蒸镀电子传输层(5)；

f.采用真空蒸发的方法，在所述电子传输层(5)上蒸镀复合阴极(6)。

8. 根据权利要求7所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，所述步骤c中采用真空双源共蒸的方法时，所述NPB和m-MTDATA两种材料的蒸发速率为0.01 nm/s~1 nm/s。

9. 根据权利要求7所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，所述步骤a中选择所述ITO玻璃基板(1)的有效面积为5 mm×5 mm、表面电阻为10 Ω/□，所述ITO玻璃先用去污粉清洗，再依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗30 min，在烘箱中烘干，进行UV-Ozone处理后，放入真空蒸发设备。

10. 根据权利要求9所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，所述步骤b处于4×10^-4 Pa真空环境中，在所述的ITO玻璃基板(1)上蒸镀MoO₃层为ITO修饰层(2)，其厚度为4 nm。

11. 根据权利要求10所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，所述步骤c中使用有机物掩膜板，在所述ITO修饰层(2)上，采用双源共蒸的方法蒸镀复合空穴传输层(3)，其中m-MTDATA的掺杂比为从0 mol%～7 mol%，复合空穴传输(3)的厚度为50 nm。

12. 根据权利要求11所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，所述步骤d和步骤e中，在所述复合空穴传输层(3)上蒸镀Alq3层作为发光层(4)兼做电子传输层(5)，其厚度为60 nm。

13. 根据权利要求12所述的具有复合空穴传输层的有机电致发光器件的制造方法，其特征在于，所述步骤f中改换电极掩膜板，在所述电子传输层(5)上蒸镀复合阴极(6)，先蒸镀LiF，其厚度为1 nm，再在LiF层上蒸镀Al电极层，其厚度为100 nm。