[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置有效
申请号: | 201010593726.2 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102110700A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 糸长总一郎;堀池真知子 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括:第一半导体部,其包括位于其一侧的第一布线层;第二半导体部,其包括位于其一侧的第二布线层,所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起,且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对;以及导电材料件,其穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层,且借助于所述导电材料件使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。本发明能够提供诸如减小了寄生电容以实现高性能的固体摄像器件等半导体器件、用于制造该半导体器件的方法、以及包括该固体摄像器件的诸如照相机等电子装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,其包括:第一半导体部,所述第一半导体部包括位于所述第一半导体部一侧的第一布线层;第二半导体部,所述第二半导体部包括位于所述第二半导体部一侧的第二布线层,所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起,且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对;以及导电材料件,所述导电材料件穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层,且借助于所述导电材料件使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的