[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置有效

专利信息
申请号: 201010593726.2 申请日: 2010-12-17
公开(公告)号: CN102110700A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 糸长总一郎;堀池真知子 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335;H04N5/374
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;武玉琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括:第一半导体部,其包括位于其一侧的第一布线层;第二半导体部,其包括位于其一侧的第二布线层,所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起,且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对;以及导电材料件,其穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层,且借助于所述导电材料件使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。本发明能够提供诸如减小了寄生电容以实现高性能的固体摄像器件等半导体器件、用于制造该半导体器件的方法、以及包括该固体摄像器件的诸如照相机等电子装置。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法 电子 装置
【主权项】:
一种半导体器件,其包括:第一半导体部,所述第一半导体部包括位于所述第一半导体部一侧的第一布线层;第二半导体部,所述第二半导体部包括位于所述第二半导体部一侧的第二布线层,所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起,且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对;以及导电材料件,所述导电材料件穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层,且借助于所述导电材料件使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。
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