[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

第一半导体部，所述第一半导体部包括位于所述第一半导体部一侧的第一布线层；

第二半导体部，所述第二半导体部包括位于所述第二半导体部一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起，且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；以及

导电材料件，所述导电材料件穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层，且借助于所述导电材料件使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部是通过等离子体结合方式而被固定在一起。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部是通过粘合剂而被固定在一起。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括位于像素阵列区域与移除区域之间的控制区域。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述导电材料件被形成在所述半导体器件的所述移除区域中。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一半导体部的位于所述移除区域中的一部分被移除。

7.如权利要求5所述的半导体器件，还包括遮光膜，所述遮光膜形成在所述半导体器件的所述控制区域中的所述第一半导体部上方。

8.一种半导体器件制造方法，其包括如下步骤：

形成第一半导体部，所述第一半导体部包括位于所述第一半导体部一侧的第一布线层；

形成第二半导体部，所述第二半导体部包括位于所述第二半导体部一侧的第二布线层；

以所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对的方式，将所述第一半导体部和所述第二半导体部相结合；并且

设置导电材料件，所述导电材料件穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层，使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。

9.如权利要求8所述的半导体器件制造方法，其中，通过等离子体结合方式将所述第一半导体部和所述第二半导体部固定在一起。

10.如权利要求8所述的半导体器件制造方法，其中，通过粘合剂

将所述第一半导体部和所述第二半导体部固定在一起。

11.如权利要求8至10中任一项所述的半导体器件制造方法，其中，所述半导体器件包括位于像素阵列区域与移除区域之间的控制区域。

12.如权利要求11所述的半导体器件制造方法，其中，所述导电材料件是形成在所述半导体器件的所述移除区域中。

13.如权利要求12所述的半导体器件制造方法，其中，将所述第一半导体部的位于所述移除区域中的一部分移除。

14.如权利要求12所述的半导体器件制造方法，还包括在所述半导体器件的所述控制区域中的所述第一半导体部上方形成遮光膜的步骤。

15.一种半导体器件，其包括：

第一半导体部，所述第一半导体部包括位于所述第一半导体部一侧的第一布线层和位于与所述第一布线层侧相反的侧的器件层；

第二半导体部，所述第二半导体部包括位于所述第二半导体部一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起，且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；

第一导电材料件，所述第一导电材料件穿过所述第一半导体部的所述器件层而延伸至所述第一半导体部的所述第一布线层中的连接点；以及

第二导电材料件，所述第二导电材料件穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层中的连接点，使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部是通过等离子体结合方式而被固定在一起。

17.如权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部是通过粘合剂而被固定在一起。