[发明专利]半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置

说明书

相关申请的交叉参考

本申请含有与在2009年12月25日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-294698的公开内容相关的主题，在此将该日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及诸如固体摄像器件等半导体器件、用于制造该半导体器件的方法、以及包含该固体摄像器件的诸如照相机等电子装置。

背景技术

固体摄像器件包括以诸如互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)等MOS型图像传感器为范例的放大型固体摄像器件。另外，固体摄像器件还包括以电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)图像传感器为范例的电荷转移型固体摄像器件。这些固体摄像器件广泛地应用于数码相机、数码摄像机等中。近年来，由于低电源电压、低功耗等优点，MOS图像传感器已经普遍地用作固体摄像器件而被安装于诸如带有照相机的便携电话或个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等移动装置中。

MOS固体摄像器件包括像素阵列(像素区域)和周边电路区域，在所述像素阵列中以二维阵列形式布置有多个单位像素，这些单位像素的每一者都包括用作光电转换单元的光电二极管和多个像素晶体管。该多个像素晶体管被形成为MOS晶体管。且该多个像素晶体管可以包括三个晶体管，即传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管，或者可以包括四个晶体管，即还包括选择晶体管。

在过去，人们提出了各种MOS固体摄像器件，在这些MOS固体摄像器件中，其中形成有排列了多个像素的像素阵列的半导体芯片与其中形成有用于进行信号处理的逻辑电路的半导体芯片彼此电连接从而形成一个器件。日本专利申请公开公报特开第2006-49361号公开了一种半导体模块，在该半导体模块中，每个像素单元中的包括有微焊盘(micropad)的背面照射型图像传感器芯片与包括有信号处理电路和微焊盘的信号处理芯片通过微凸块(microbump)相互连接。

国际申请WO 2006/129762公开了一种半导体图像传感器模块，在该模块中，堆叠有包括图像传感器的第一半导体芯片、包括模拟/数字转换器阵列的第二半导体芯片和包括存储元件阵列的第三半导体芯片。第一半导体芯片和第二半导体芯片通过作为导电性连接导体的凸块而彼此连接起来。第二半导体芯片和第三半导体芯片利用贯穿第二半导体芯片的贯通接触件而彼此连接起来。

如日本专利申请公开公报特开第2006-49361号中所披露的那样，曾提出了将诸如图像传感器芯片和用于进行信号处理的逻辑电路等不同类型的电路芯片组合起来的各种技术。在相关技术的各类技术中，是通过形成贯通连接孔或者通过凸块来使处于几乎已完成状态的功能芯片相互连接。

本申请的发明人已意识到结合起来的半导体芯片部所带来的问题：对接地电容(pair ground capacitance)和相邻耦合电容会作为寄生电容而出现。对接地电容是在布线与例如具有地电位的半导体基板之间出现的寄生电容。相邻耦合电容是在相邻的铺设布线之间或在相邻的导体之间的寄生电容。虽然当电源增强时或者当设有允许电流流过的缓冲电路时可以消除计数器接地电容，但由于相邻线路之间存在干扰，因而可能无法消除相邻耦合电容。

关于寄生电容的这一问题也可能会发生在如下的半导体器件中：在该半导体器件中，各自包括有半导体集成电路的半导体芯片部相互结合，并且各个半导体芯片部都是通过连接导体和贯通连接导体来予以连接。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是期望提供一种诸如减小了寄生电容以实现高性能的固体摄像器件等半导体器件，以及用于制造该半导体器件的方法。本发明的另一个目的是期望提供一种包括该固体摄像器件的诸如照相机等电子装置。

本发明的一个实施方式提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一半导体部，其包括位于其一侧的第一布线层；第二半导体部，其包括位于其一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起，且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；以及导电材料件，其穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层，且所述第一布线层与所述第二布线层借助于所述导电材料件而实现电连通。

在本发明另一实施方式中，所述第一半导体部和所述第二半导体部是通过等离子体结合方式而被固定在一起。

在本发明另一实施方式中，所述第一半导体部和所述第二半导体部是通过粘合剂而被固定在一起。