[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件。提供一种可以提高具有SRAM的半导体器件的可靠性的技术。本发明的半导体器件具有存储单元MC1，所述存储单元MC1包括形成在硅衬底1上的六个n沟道型晶体管(QNA1)、(QNA2)、(QNA3)、(QNA4)、(QND1)、(QND2)和两个p沟道型晶体管(QPL1)、(QPL2)。在硅衬底1上，沿着行方向观察，依次配置有第一p阱(PW1)、第一n阱(NW1)、第二p阱(PW2)、第二n阱(NW2)及第三p阱(PW3)。第一及第二正相存取晶体管(QNA1)、(QNA2)配置在第一p阱(PW1)内，第一及第二激励晶体管(QND1)、(QND2)配置在第二p阱(PW2)内，第一及第二反相存取晶体管(QNA3)、(QNA4)配置在第三p阱(PW3)内。

主权项

一种半导体器件，具有沿半导体衬底的行方向和列方向配置的多个存储单元，其特征在于，在所述半导体衬底上形成分别沿所述列方向延伸的、n型导电型的第一n阱和第二n阱、以及p型导电型的第一p阱、第二p阱和第三p阱，沿所述行方向观察，按顺序并列配置有所述第一p阱、所述第一n阱、所述第二p阱、所述第二n阱以及所述第三p阱，其中，所述存储单元具有：由n沟道型第一激励晶体管和p沟道型第一负载晶体管构成的第一反相器；由n沟道型第二激励晶体管和p沟道型第二负载晶体管构成的第二反相器；以及n沟道型的正相存取晶体管和反相存取晶体管；所述多个存储单元中沿所述行方向并列配置的单元通过沿所述行方向延伸的字线而连接，所述多个存储单元中沿所述列方向并列配置的单元通过沿所述列方向延伸的正相位线和反相位线而连接，所述第一反相器的输出端子作为第一存储节点而与所述第二反相器的输入端子连接，所述第一反相器的输入端子作为第二存储节点而与所述第二反相器的输出端子连接，在所述正相存取晶体管中，栅极与所述字线、漏极与所述正相位线、源极与所述第一存储节点分别连接，在所述反相存取晶体管中，栅极与所述字线、漏极与所述反相位线、源极与所述第二存储节点分别连接，所述正相存取晶体管配置在所述第一p阱内，所述第一负载晶体管配置在所述第一n阱内，所述第一激励晶体管和所述第二激励晶体管配置在所述第二p阱内，所述第二负载晶体管配置在所述第二n阱内，所述反相存取晶体管配置在所述第三p阱内，沿所述行方向观察，所述多个存储单元中相邻的单元分别共用所述第一p阱和所述第三p阱。