[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具有沿半导体衬底的行方向和列方向配置的多个存储单元，其特征在于，

在所述半导体衬底上形成分别沿所述列方向延伸的、n型导电型的第一n阱和第二n阱、以及p型导电型的第一p阱、第二p阱和第三p阱，

沿所述行方向观察，按顺序并列配置有所述第一p阱、所述第一n阱、所述第二p阱、所述第二n阱以及所述第三p阱，

其中，所述存储单元具有：

由n沟道型第一激励晶体管和p沟道型第一负载晶体管构成的第一反相器；

由n沟道型第二激励晶体管和p沟道型第二负载晶体管构成的第二反相器；以及

n沟道型的正相存取晶体管和反相存取晶体管；

所述多个存储单元中沿所述行方向并列配置的单元通过沿所述行方向延伸的字线而连接，

所述多个存储单元中沿所述列方向并列配置的单元通过沿所述列方向延伸的正相位线和反相位线而连接，

所述第一反相器的输出端子作为第一存储节点而与所述第二反相器的输入端子连接，

所述第一反相器的输入端子作为第二存储节点而与所述第二反相器的输出端子连接，

在所述正相存取晶体管中，栅极与所述字线、漏极与所述正相位线、源极与所述第一存储节点分别连接，

在所述反相存取晶体管中，栅极与所述字线、漏极与所述反相位线、源极与所述第二存储节点分别连接，

所述正相存取晶体管配置在所述第一p阱内，

所述第一负载晶体管配置在所述第一n阱内，

所述第一激励晶体管和所述第二激励晶体管配置在所述第二p阱内，

所述第二负载晶体管配置在所述第二n阱内，

所述反相存取晶体管配置在所述第三p阱内，

沿所述行方向观察，所述多个存储单元中相邻的单元分别共用所述第一p阱和所述第三p阱。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述正相存取晶体管具有第一正相存取晶体管和第二正相存取晶体管，

所述反相存取晶体管具有第一反相存取晶体管和第二反相存取晶体管。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述字线具有第一字线和第二字线，

所述正相位线具有第一正相位线和第二正相位线，

所述反相位线具有第一反相位线和第二反相位线，

在所述第一正相存取晶体管中，栅极与所述第一字线、漏极与所述第一正相位线分别连接，

在所述第二正相存取晶体管中，栅极与所述第二字线、漏极与所述第二正相位线分别连接，

在所述第一反相存取晶体管中，栅极与所述第一字线、漏极与所述第一反相位线分别连接，

在所述第二反相存取晶体管中，栅极与所述第二字线、漏极与所述第二反相位线分别连接。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第二p阱内，

配置有所述第一激励晶体管的激活区域配置在比所述第二n阱更靠近所述第一n阱的位置，

配置有所述第二激励晶体管的激活区域配置在比所述第一n阱更靠近所述第二n阱的位置。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

在所述半导体衬底上，彼此间隔着层间绝缘膜配置有第一布线层、第二布线层以及第三布线层，

其中，所述第一激励晶体管和所述第二激励晶体管的源极与同一条接地电位线相连接，

所述接地电位线配置在所述第一布线层和所述第二布线层上，且沿所述列方向延伸。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一负载晶体管的源极与第一电源电位线相连接，

所述第二负载晶体管的源极与第二电源电位线相连接，

所述第一电源电位线和所述第二电源电位线沿所述列方向延伸，向所述第一电源电位线和所述第二电源电位线供给相同的电源电位，

所述第一电源电位线配置在所述第一正相位线和所述第二正相位线之间，

所述第二电源电位线配置在所述第一反相位线和所述第二反相位线之间。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一正相位线、所述第二正相位线、所述第一反相位线、所述第二反相位线、所述接地电位线、所述第一电源电位线以及所述第二电源电位线配置在所述第二布线层上。