[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
申请号: | 201010589182.2 | 申请日: | 2010-12-15 |
公开(公告)号: | CN102569075A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 韩广涛;孙贵鹏;林峰;马春霞;黄枫 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78;H01L29/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述方法包括:提供基底,所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区;在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层;采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽;在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法,能够生产出关键尺寸为0.18μm或0.18μm以下的器件;且在后续进行CMP工艺时,可以实现基底表面的全局平坦化,减小了工艺缺陷的发生。 | ||
搜索关键词: | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种LDMOS器件制造方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区;在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层;采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽;在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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