[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种LDMOS器件及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，Lateral Double-diffuse MOS)器件由于其具有良好的短沟道特性而被广泛地应用于移动电话中，尤其应用在900MHz的蜂窝电话中。随着移动通信市场(尤其是蜂窝通信市场)的不断增长，LDMOS器件的制造工艺越来越成熟。

传统工艺中，LDMOS器件的形成过程包括：在基底上形成漂移区及有源区。其中，在漂移区上方一般采用硅局部氧化(Local Oxidation of Silicon，LOCOS)工艺形成场氧化层作为隔离层，具体包括如下步骤：

1、在硅衬底上用热氧化方式生长一层薄的二氧化硅，之后在二氧化硅上沉积一层氮化硅。生长二氧化硅的目的是为了避免氮化硅对硅衬底表面造成应力损伤。

2、在氮化硅上旋涂光刻胶，并用定义漂移区的掩膜版进行曝光，之后显影，形成具有漂移区图案的光刻胶层。

3、以所述具有漂移区图案的光刻胶层作掩模进行刻蚀，刻蚀时要保留一定厚度的二氧化硅，避免硅衬底受到损伤。

4、利用漂移区以外的氮化硅作为局部氧化的掩膜生长二氧化硅。所述二氧化硅的厚度可根据器件的特性而进行选取。

上述工艺过程中，在第4步中进行局部氧化时，生长的二氧化硅会横向扩散，从而在氮化硅掩膜层的边缘附近形成“鸟嘴”区域，“鸟嘴”的长度将侵占器件沟道区的长度，从而不利于器件尺寸的进一步缩小。一般情况下，在漂移区上方采用LOCOS工艺形成场氧化层适用于0.25μm以上的工艺中，随着器件尺寸的进一步缩小，尤其对于0.18μm及0.18μm以下的工艺中，采用上述工艺形成场氧化层作为隔离层已不能满足要求。

除此之外，上述工艺中，漂移区上方所形成的场氧化层，其约50％的厚度是高于衬底的，因此，在漂移区上方形成一个高台阶。在后续进行化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)时，由于所述高台阶的存在，导致漂移区附近的二氧化硅研磨不净，造成工艺缺陷。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种LDMOS器件及其制造方法，该方法适用于0.18μm及0.18μm以下的工艺中，且通过该方法制造的LDMOS器件，能获得平坦的器件表面，降低了工艺缺陷。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LDMOS器件制造方法，所述方法包括：

提供基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；

在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层；

采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽；

在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。

优选的，在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层之后，还包括：在所述硬掩膜层上形成抗反射层。

优选的，采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽，具体包括：

在所述抗反射层上形成光刻胶层；

采用具有漂移区图案的掩膜版在所述抗反射层上形成具有漂移区图案的光刻胶层；

以所述具有漂移区图案的光刻胶层为掩膜在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽。

优选的，在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽的深度为100nm。

优选的，在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽的角度为80°～90°。

优选的，采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽之后，还包括：在所述外延层中形成隔离低压器件的深沟槽。

优选的，所述位于外延层中的深阱区为N型掺杂或P型掺杂。

本发明还提供了一种LDMOS器件，该器件包括：

基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；

位于所述深阱区中的浅沟槽介质层。

优选的，所述浅沟槽介质层的深度为100nm。

优选的，所述浅沟槽介质层的角度为80°～90°。