[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010589182.2 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569075A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;孙贵鹏;林峰;马春霞;黄枫 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS器件制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；
在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层；
采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽；
在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层之后，还包括：在所述硬掩膜层上形成抗反射层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽，具体包括：
在所述抗反射层上形成光刻胶层；
采用具有漂移区图案的掩膜版在所述抗反射层上形成具有漂移区图案的光刻胶层；
以所述具有漂移区图案的光刻胶层为掩膜在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽的深度为100nm。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽的角度为80°～90°。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽之后，还包括：
在所述外延层中形成隔离低压器件的深沟槽。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述位于外延层中的深阱区为N型掺杂或P型掺杂。
8.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；
位于所述深阱区中的浅沟槽介质层。
9.根据权利要求7所述的LDMOS器件，其特征在于，所述浅沟槽介质层的深度为100nm。
10.根据权利要求8所述的LDMOS器件，其特征在于，所述浅沟槽介质层的角度为80°～90°。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
