[发明专利]低电阻的热电材料及其制备方法

摘要

热电材料(Thermoelectric materials)是近年来备受重视的能源材料，Ag-Sb-Te材料为具有高潜力之热电材料，尤其是其三元AgSbTe2化合物。热电优值(z＝S2/ρκ)为热电转换效率指标。AgSbTe2化合物为低热传导系数(κp＝0.6WK-1m-1)的p型半导体，但其高电阻性质(ρ＝7.5*10-3Ωcm)限制其应用性。本发明公开了一种低电阻的热电材料及其制备方法，找出Ag-Sb-Te三元系统共晶点，并透过Class I反应：L＝AgSbTe2+Ag2Te+δ制备高机械强度、存在均匀纳米结构之Ag-Sb-Te三元块材合金。此具纳米结构的Ag-Sb-Te三元块材合金与三元AgSbTe2化合物不同，具有低电阻性质(ρ＝8.4*10-4Ωcm)。

主权项

一种低电阻的热电材料，其组成元素至少包括银、碲及锑，其中银、碲及锑的组成摩尔比例为1∶2.43～3.29∶2.18～2.96，其中所述的热电材料在室温下的电阻率系低于0.1Ωcm。