[发明专利]低电阻的热电材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010584138.2 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102464306A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 陈信文;吴欣洁 | 申请（专利权）人： | 陈信文 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 北京元本知识产权代理事务所 11308 | 代理人： | 秦力军 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种低电阻的热电材料，其组成元素至少包括银、碲及锑，其中银、碲及锑的组成摩尔比例为1∶2.43～3.29∶2.18～2.96，其中所述的热电材料在室温下的电阻率系低于0.1Ωcm。
2.如权利要求1所述的低电阻的热电材料，其特征是所述银、碲及锑的组成摩尔比例为1∶2.55～3.15∶2.31～2.83。
3.如权利要求1所述的低电阻的热电材料，其特征是所述的热电材料微结构的晶粒尺寸平均小于1000纳米。
4.如权利要求1所述的低电阻的热电材料，其特征是所述的热电材料微结构的晶粒尺寸平均小于500纳米。
5.如权利要求1所述的低电阻的热电材料，其特征是所述银、碲及锑占所述热电材料的组成总重量90％以上。
6.如权利要求1所述的低电阻的热电材料，其特征是所述热电材料在室温下的电阻率系低于0.01Ωcm。
7.一种低电阻的热电材料的制备方法，包括如下步骤：
(A)提供至少包括银、碲及锑元素的初始材料，其中所述银、碲及锑的组成摩尔比例为1∶2.43～3.29∶2.18～2.96；
(B)将所述初始材料置于真空环境中，以至少高于500℃的温度进行熔融；
(C)进行降温冷却后形成所述的热电材料；
其中所述的热电材料在室温下的电阻率系低于0.1Ωcm。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征是步骤(B)中熔融的温度为800℃，熔融时间为24小时。
9.如权利要求7所述的制备方法，其特征是步骤(C)是以1℃/min的降温速率降至550℃，并在此温度下退火120小时后再以冷水快速淬冷。
10.如权利要求7所述的制备方法，其特征是步骤(C)是将合金快速淬冷后，置于650℃的高温炉中退火120小时后再以冷水快速淬冷。
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