[发明专利]单晶圆干燥装置及方法有效
| 申请号： | 201010582195.7 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102148133A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张晓红;吴仪;赵宏宇;王锐廷 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;F26B3/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶圆干燥装置，包括：工艺腔体(7)和设置在所述工艺腔体(7)中的晶圆支撑(20)，还包括：一端连接于所述工艺腔体(7)外壁上的进气管(6)和连接在所述进气管(6)上的第一氮气输入管路(3)，所述进气管(6)的另一端与用于装载异丙酮的蒸汽腔体(2)连接，所述蒸汽腔体(2)内设有加热装置(1)，所述蒸汽腔体(2)出口和所述第一氮气输入管路(3)内均设有气体质量流量计，通过各个部件之间的配合，避免了干燥过程中产生水痕导致产品缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶圆 干燥 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶圆干燥装置，包括：工艺腔体(7)和设置在所述工艺腔体(7)中的晶圆支撑(20)，其特征在于，还包括：一端连接于所述工艺腔体(7)外壁上的进气管(6)和连接在所述进气管(6)上的第一氮气输入管路(3)，所述进气管(6)的另一端与用于装载异丙酮的蒸汽腔体(2)连接，所述蒸汽腔体(2)内设有加热装置(1)，所述蒸汽腔体(2)出口和所述第一氮气输入管路(3)内均设有气体质量流量计。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
