[发明专利]单晶圆干燥装置及方法有效
申请号: | 201010582195.7 | 申请日: | 2010-12-06 |
公开(公告)号: | CN102148133A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 张晓红;吴仪;赵宏宇;王锐廷 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;F26B3/02 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100016 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶圆 干燥 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及晶圆干燥工艺技术领域,特别涉及一种单晶圆干燥装置及方法。
背景技术
集成电路晶圆的清洗工艺中,干燥晶圆上表面是非常重要的一环。晶圆上表面的干燥方法有很多,槽式清洗和单片清洗的干燥各有不同。当前单片晶圆清洗的干燥方法有离心力脱水法(Spin dry)、异丙酮(iso-Propyl alcohol,IPA)表面张力梯度法和热氮气法。但现有的这些干燥方法中,在单片晶圆清洗中的干燥过程中很容易形成水痕,从而造成产品缺陷,并且由于现有的清洗过程中对工艺液体没有进行回收,导致原料浪费。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是如何避免干燥过程中产生水痕从而导致产品缺陷,并在清洗过程中对工艺液体进行回收,节约原料。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供了一种单晶圆干燥装置,包括:工艺腔体和设置在所述工艺腔体中的晶圆支撑,还包括:一端连接于所述工艺腔体外壁上的进气管和连接在所述进气管上的第一氮气输入管路,所述进气管的另一端与用于装载异丙酮的蒸汽腔体连接,所述蒸汽腔体内设有加热装置,所述蒸汽腔体出口和所述第一氮气输入管路内均设有气体质量流量计。
其中,还包括:伸入所述工艺腔体的第二氮气输入管路。
其中,所述进气管外壁设有保温层。
其中,所述进气管上设有气泵。
其中,所述装置还包括:去静电装置,所述去静电装置设置于所述工艺腔体外,与所述工艺腔体外壁相连;或设置于所述工艺腔体内。
其中,所述装置还设有排气管,设置于所述工艺腔体外壁,在所述排气管上设有排气冷却盘管。
其中,所述工艺腔体内设有异丙酮冷却盘管,并在所述工艺腔体内低于所述异丙酮冷却盘管处设有异丙酮回收盘,所述异丙酮回收盘底端设有异丙酮回收管。
其中,所述装置还包括工艺液体输入管,所述工艺液体输入管伸入所述工艺腔体内,所述工艺腔体内所述异丙酮回收盘和所述晶圆支撑之间设有工艺液体回收盘,所述工艺液体回收盘底端设有工艺液体回收管。
本发明还公开了一种基于所述干燥装置的干燥方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在进行晶圆的清洗工艺后,使晶圆支撑装置带动晶圆旋转,直至晶圆上表面液膜达到设定厚度,通过第一氮气输入管路输入氮气,并经进气管进入工艺腔体,直至氮气已充满整个工艺腔体;
S2:启动加热装置,产生异丙酮蒸汽,与第一氮气输入管路输入的氮气一同进入工艺腔体,使晶圆上表面的液膜蒸发。
其中,步骤S2中,启动加热装置后通过第二氮气输入管路输入热氮气。
(三)有益效果
本发明通过各个部件之间的配合,避免了干燥过程中产生水痕导致产品缺陷,并在清洗过程中对工艺液体进行回收,节约了原料。
附图说明
图1是按照本发明一种实施方式的单晶圆干燥装置的结构示意图;
图2是按照本发明一种实施方式的单晶圆干燥装置的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造