[发明专利]单晶圆干燥装置及方法有效
申请号: | 201010582195.7 | 申请日: | 2010-12-06 |
公开(公告)号: | CN102148133A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 张晓红;吴仪;赵宏宇;王锐廷 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;F26B3/02 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100016 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶圆 干燥 装置 方法 | ||
1.一种单晶圆干燥装置,包括:工艺腔体(7)和设置在所述工艺腔体(7)中的晶圆支撑(20),其特征在于,还包括:一端连接于所述工艺腔体(7)外壁上的进气管(6)和连接在所述进气管(6)上的第一氮气输入管路(3),所述进气管(6)的另一端与用于装载异丙酮的蒸汽腔体(2)连接,所述蒸汽腔体(2)内设有加热装置(1),所述蒸汽腔体(2)出口和所述第一氮气输入管路(3)内均设有气体质量流量计。
2.如权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,还包括:伸入所述工艺腔体(7)的第二氮气输入管路(13)。
3.如权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,所述进气管(6)外壁设有保温层(5)。
4.如权利要求3所述的干燥装置,其特征在于,所述进气管(6)上设有气泵。
5.如权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,所述装置还包括:去静电装置(16),所述去静电装置(16)设置于所述工艺腔体(7)外,与所述工艺腔体(7)外壁相连;或设置于所述工艺腔体(7)内。
6.如权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,所述装置还设有排气管(18),设置于所述工艺腔体(7)外壁,在所述排气管(18)上设有排气冷却盘管(19)。
7.如权利要求1所述的干燥装置,其特征在于,所述工艺腔体(7)内设有异丙酮冷却盘管(10),并在所述工艺腔体(7)内低于所述异丙酮冷却盘管(10)处设有异丙酮回收盘(9),所述异丙酮回收盘(9)底端设有异丙酮回收管(14)。
8.如权利要求7所述的干燥装置,其特征在于,所述装置还包括工艺液体输入管(11),所述工艺液体输入管(11)伸入所述工艺腔体(7)内,所述工艺腔体(7)内所述异丙酮回收盘(9)和所述晶圆支撑(20)之间设有工艺液体回收盘(8),所述工艺液体回收盘(8)底端设有工艺液体回收管(15)。
9.一种基于如权利要求1-8所述的干燥装置的干燥方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在进行晶圆的清洗工艺后,使晶圆支撑装置(20)带动晶圆旋转,直至晶圆上表面液膜达到设定厚度,通过第一氮气输入管路(3)输入氮气,并经进气管(6)进入工艺腔体(7),直至氮气已充满整个工艺腔体(7);
S2:启动加热装置(1),产生异丙酮蒸汽,与第一氮气输入管路(3)输入的氮气一同进入工艺腔体(7),使晶圆上表面的液膜蒸发。
10.如权利要求9所述的干燥方法,其特征在于,步骤S2中,启动加热装置(1)后通过第二氮气输入管路(13)输入热氮气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造