[发明专利]相变存储器制造方法有效
| 申请号： | 201010560261.0 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479921A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/822;H01L21/20;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种相变存储器制造方法，包括提供衬底，所述衬底包括存储区域和外围区域；在所述衬底表面形成绝缘介质层，绝缘介质层内形成有第一通孔，所述第一通孔暴露衬底；在所述第一通孔所暴露衬底表面形成n型硅外延层，所述n型硅外延层的厚度小于所述第一通孔的深度；采用原位掺杂的方法在所述n型硅外延层表面形成p型硅外延层，n型硅外延层与p型硅外延层厚度之和小于第一通孔的深度；在位于外围区域的p型硅外延层表面形成电极层，在位于存储区域的p型硅外延层表面形成相变层。利用本发明所提供的相变存储器制造方法可以提高相变存储器的性能，降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区域和外围区域；在所述衬底表面形成绝缘介质层，绝缘介质层内形成有第一通孔，所述第一通孔暴露衬底；在所述第一通孔所暴露衬底表面形成n型硅外延层，所述n型硅外延层的厚度小于所述第一通孔的深度；采用原位掺杂的方法在所述n型硅外延层表面形成p型硅外延层，n型硅外延层与p型硅外延层厚度之和小于第一通孔的深度；在位于外围区域的p型硅外延层表面形成电极层，在位于存储区域的p型硅外延层表面形成相变层。
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