[发明专利]相变存储器制造方法有效
| 申请号： | 201010560261.0 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479921A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/822;H01L21/20;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制造 方法 | ||
1.一种相变存储器制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括存储区域和外围区域；
在所述衬底表面形成绝缘介质层，绝缘介质层内形成有第一通孔，所述第一通孔暴露衬底；
在所述第一通孔所暴露衬底表面形成n型硅外延层，所述n型硅外延层的厚度小于所述第一通孔的深度；
采用原位掺杂的方法在所述n型硅外延层表面形成p型硅外延层，n型硅外延层与p型硅外延层厚度之和小于第一通孔的深度；
在位于外围区域的p型硅外延层表面形成电极层，在位于存储区域的p型硅外延层表面形成相变层。
2.依据权利要求1的相变存储器制造方法，其特征在于，所述绝缘介质层的厚度是2000～9000埃。
3.依据权利要求1的相变存储器制造方法，其特征在于，还包括：在所述衬底的存储区域和外围区域表面形成n+型埋层。
4.依据权利要求3的相变存储器制造方法，其特征在于，所述n型硅外延层的形成方法是：
在所述第一通孔所暴露的衬底表面形成硅外延层，所述硅外延层厚度小于第一通孔的深度；
对包括所述硅外延层的衬底进行快速热退火处理，n+型埋层内的n型离子进入所述硅外延层，形成n型硅外延层。
5.依据权利要求1的相变存储器制造方法，其特征在于，所述n型硅外延层的形成方法是原位掺杂。
6.依据权利要求1的相变存储器制造方法，其特征在于，所述n型硅外延层的掺杂离子是磷离子或者砷离子。
7.依据权利要求6的相变存储器制造方法，其特征在于，形成所述n型硅外延层的工艺参数是温度600-1150℃，压强0.01-100托，通入的气体为Si2H6、SiH4、SiH2Cl2、As2H3、HCl、H2，总的气体流量为0.1-100slm。
8.依据权利要求1的相变存储器制造方法，其特征在于，所述p型硅外延层的掺杂离子是硼离子。
9.依据权利要求8的相变存储器制造方法，其特征在于，形成所述p型硅外延层的工艺参数是温度600-1150℃，压强0.01-100托，通入的气体为Si2H6、SiH4、SiH2Cl2、B2H6、HCl、H2，总的气体流量为0.1-100slm。
10.依据权利要求3的相变存储器制造方法，其特征在于，所述n+型埋层的掺杂离子是磷离子或者砷离子。
11.依据权利要求2至7中任意一项的相变存储器制造方法，其特征在于，所述n型硅外延层的厚度是1000～4000埃。
12.依据权利要求1、8、9中任意一项的相变存储器制造方法，其特征在于，所述p型硅外延层的厚度是1000～4000埃。
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