[发明专利]双端口静态随机存取存储器的单元结构无效
| 申请号： | 201010558935.3 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102298963A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示提供双端口静态随机存取存储器(static random access memory，以下简称为SRAM)单元的一实施例。双端口SRAM单元包括用以数据存储的交叉耦合的第一和第二反相器，每一个反相器包括一上拉装置(PU)和多个下拉装置(PDs)；与上述2个交叉耦合的反相器配置在一起的多个沟道栅装置；以及用以读取和写入的与多个沟道栅装置(PGs)耦合的至少2个端口，其中每个上拉装置、下拉装置和沟道栅装置包括一鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor，以下简称为FinFET)；SRAM单元中下拉装置数量和SRAM单元中沟道栅装置数量之间的比值大于1，且SRAM单元中的FinFET数量等于或大于12。本揭示提供在较广操作电压范围下的沟道栅装置和下拉装置之间更好的装置轨迹/匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 端口 静态 随机存取存储器 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器(SRAM)单元包括：第一反相器和第二反相器，此第一反相器和此第二反相器交叉耦合用以数据存储，每一个反相器包括一上拉装置和多个下拉装置；多个沟道栅装置，其与上述二个交叉耦合的此第一和此第二反相器配置在一起；以及至少二个端口，其与多个沟道栅装置耦合用以读取和写入，其中：每个上拉装置、下拉装置和沟道栅装置包括一鳍式场效晶体管(FinFET)，SRAM单元中下拉装置的数量和SRAM单元中沟道栅装置的数量之间的一比值大于1，以及SRAM单元中鳍式场效晶体管的数量等于或大于12。
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