[发明专利]半导体存储器件和调整内部时钟与命令之间的时序的方法有效
| 申请号： | 201010552919.3 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102169715A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 文眞永;尹相植 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;H03K5/13 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在存储器件的减速模式下调整内部时钟与命令之间的时序的方法，包括以下步骤：在内部时钟的上升沿和下降沿处检测同步脉冲；和根据检测结果在存储器件的内部时钟与命令之间进行调整。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 调整 内部 时钟 命令 之间 时序 方法 | ||
【主权项】：
一种在存储器件的减速模式下调整所述存储器件的内部时钟与命令之间的时序的方法，所述方法包括以下步骤：在所述内部时钟的上升沿和下降沿处检测同步脉冲；和根据检测结果来调整所述存储器件的所述内部时钟与所述命令之间的时序。
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