[发明专利]平坦化基底的方法

摘要

本发明的实施例改进基底的平坦度，其中基底的平坦度对于图案化和良率的提升相当的重要。在达到最终厚度或研磨所有的薄膜之前，使用化学机械研磨法平坦化基底。之后测量基底的轮廓和薄膜厚度，气体团簇离子束(gas cluster ion beam，GCIB)蚀刻装置使用测量到的基底轮廓和薄膜厚度数据，决定在特定的位置要移除多少薄膜。气体团簇离子束蚀刻移除最终的层，使其符合基底均匀度和厚度目标的需求。此机制改进平坦度，以符合先进技术的需求。

主权项

一种平坦化基底的方法，包括：沉积一第一层于一基底上，该基底于一表面具有元件图样，该元件图样的轮廓使沉积于该基底上的第一层有一第一表面轮廓；使用化学机械研磨工艺从该基底移除部分的第一层，以减少该第一表面轮廓；在使用化学机械研磨工艺，从该基底移除部分的第一层后，收集该基底一第二表面轮廓的数据；及于该元件图样上方的剩余的部分第一层上进行一气体团簇离子束蚀刻，其通过使用收集到的基底的第二表面轮廓的数据，决定该第一层在不同的位置要蚀刻多少量，借以使该气体团簇离子束蚀刻减少该第二表面轮廓，且改善该基底的平坦度。