[发明专利]平坦化基底的方法

权利要求书

1.一种平坦化基底的方法，包括：

沉积一第一层于一基底上，该基底于一表面具有元件图样，该元件图样的轮廓使沉积于该基底上的第一层有一第一表面轮廓；

使用化学机械研磨工艺从该基底移除部分的第一层，以减少该第一表面轮廓；

在使用化学机械研磨工艺，从该基底移除部分的第一层后，收集该基底一第二表面轮廓的数据；及

于该元件图样上方的剩余的部分第一层上进行一气体团簇离子束蚀刻，其通过使用收集到的基底的第二表面轮廓的数据，决定该第一层在不同的位置要蚀刻多少量，借以使该气体团簇离子束蚀刻减少该第二表面轮廓，且改善该基底的平坦度。

2.如权利要求1所述的平坦化基底的方法，其中该元件图样是沟槽结构，该沟槽结构彼此分隔，且其中沉积于该沟槽结构上的第一层是用来填满该沟槽结构。

3.如权利要求1所述的平坦化基底的方法，其中该第二表面轮廓的数据是通过原子力显微镜、表面粗度仪或光学厚度测量仪器收集。

4.如权利要求1所述的平坦化基底的方法，其中该收集数据的步骤包括收集晶片内或裸片内的数据。

5.如权利要求1所述的平坦化基底的方法，更包括在进行该气体团簇离子束蚀刻的步骤后，于该基底上进行一湿蚀刻，以移除该气体团簇离子束蚀刻损坏的表面层。

6.如权利要求1所述的平坦化基底的方法，其中该元件图样是栅极结构，该栅极结构彼此分隔，且其中沉积于该栅极结构上的第一层是用来填入该栅极结构间的间隙。

7.如权利要求1所述的平坦化基底的方法，其中该导电图样是鳍式场效应晶体管的鳍，该鳍彼此分隔，且其中沉积于该鳍上的第一层是一多晶硅薄膜。

8.一种平坦化基底的方法，包括：

沉积一第一介电层于一基底上，该基底在一表面上具有栅极结构；

在沉积该第一介电层之后，沉积一第二介电层于该基底上，其中该栅极结构的轮廓使沉积于该基底上的第一介电层和第二介电层产生一第一表面轮廓；

使用化学机械研磨工艺从该基底移除部分的第二介电层，以减少该第一表面轮廓；

在使用化学机械研磨工艺从该基底移除部分的第二介电层后，收集该基底的一第二表面轮廓的数据；及

于该栅极结构上方的剩余的部分第一介电层和第二介电层上，进行至少一次气体团簇离子束蚀刻，其使用收集到的基底的第二表面轮廓的数据，决定该第二介电层和该第一介电层在不同的位置要蚀刻多少量，借以使该至少一次气体团簇离子束蚀刻减少该第二表面轮廓和改善该基底的平坦度。

9.如权利要求8所述的平坦化基底的方法，其中该气体团簇离子束蚀刻是用来移除该第二介电层和该第一介电层两者。

10.如权利要求8所述的平坦化基底的方法，其中该气体团簇离子束蚀刻的气体前驱物包括NF₃。