[发明专利]高耐压半导体装置

摘要

本发明的高耐压半导体装置具备：半导体衬底(10)、第1主表面(1)上的p型基极区域(11)、p型基极区域(11)内的n+型发射极区域(12)、与半导体衬底(10)的端面邻接而不贯通半导体衬底(10)的n+型负极区域(13)、第2主表面(2)上的p+型集电极区域(14)、第1主电极(41)、第2主电极(42P)、第3主电极(43)、以及连接第2主电极(42P)和第3主电极(43)的连接部(42W)。p型基极区域(11)和n+型负极区域(13)之间的电阻(R2)，大于p型基极区域(11)和p+型集电极区域(14)之间的电阻(R1)。在单一的半导体衬底内形成IGBT和回流二极管的高耐压半导体装置中，能够抑制产生迅速复原现象。

主权项

一种高耐压半导体装置，其中包括：半导体衬底，该半导体衬底是第1导电型，且具有第1及第2主表面；第1半导体区域，该第1半导体区域是第2导电型，且在所述半导体衬底的所述第1主表面形成，在所述第1主表面中被所述半导体衬底围住；第2半导体区域，该第2半导体区域是第1导电型，且在所述第1主表面形成，在与所述半导体衬底之间，夹住所述第1半导体区域；第3半导体区域，该第3半导体区域是第1导电型，且与所述半导体衬底的端面邻接，从所述第1主表面朝着所述第2主表面，以不贯通所述半导体衬底的深度形成；第4半导体区域，该第4半导体区域是第2导电型，在所述半导体衬底的所述第2主表面形成；电场缓冲部，该电场缓冲部是环状，且在所述半导体衬底的所述第1主表面形成，在所述第1主表面中，围住所述第1半导体区域；控制电极，该控制电极隔着绝缘膜与所述半导体衬底和所述第2半导体区域夹住的所述第1半导体区域中的沟槽区域对置形成；第1主电极，该第1主电极与所述第1半导体区域及所述第2半导体区域这两者接触地形成；第2主电极，该第2主电极与所述第4半导体区域接触地形成；第3主电极，该第3主电极与所述第3半导体区域接触地形成；以及连接部，该连接部将所述第2及第3主电极电连接，所述第1半导体区域和所述第3半导体区域之间的电阻，大于所述第1半导体区域和所述第4半导体区域之间的电阻。