[发明专利]高耐压半导体装置

权利要求书

1.一种高耐压半导体装置，其中包括：

半导体衬底，该半导体衬底是第1导电型，且具有第1及第2主表面；

第1半导体区域，该第1半导体区域是第2导电型，且在所述半导体衬底的所述第1主表面形成，在所述第1主表面中被所述半导体衬底围住；

第2半导体区域，该第2半导体区域是第1导电型，且在所述第1主表面形成，在与所述半导体衬底之间，夹住所述第1半导体区域；

第3半导体区域，该第3半导体区域是第1导电型，且与所述半导体衬底的端面邻接，从所述第1主表面朝着所述第2主表面，以不贯通所述半导体衬底的深度形成；

第4半导体区域，该第4半导体区域是第2导电型，在所述半导体衬底的所述第2主表面形成；

电场缓冲部，该电场缓冲部是环状，且在所述半导体衬底的所述第1主表面形成，在所述第1主表面中，围住所述第1半导体区域；

控制电极，该控制电极隔着绝缘膜与所述半导体衬底和所述第2半导体区域夹住的所述第1半导体区域中的沟槽区域对置形成；

第1主电极，该第1主电极与所述第1半导体区域及所述第2半导体区域这两者接触地形成；

第2主电极，该第2主电极与所述第4半导体区域接触地形成；

第3主电极，该第3主电极与所述第3半导体区域接触地形成；以及

连接部，该连接部将所述第2及第3主电极电连接，

所述第1半导体区域和所述第3半导体区域之间的电阻，大于所述第1半导体区域和所述第4半导体区域之间的电阻。

2.如权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中，

所述电场缓冲部，从所述第1主表面朝着所述第2主表面，以规定的深度形成，是在所述第1主表面中围住所述第2半导体区域的第2导电型的第5半导体区域；

所述第3半导体区域的所述深度，比所述第5半导体区域的所述规定的深度深。

3.如权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中，

所述电场缓冲部，从所述第1主表面朝着所述第2主表面，以规定的深度形成，是在所述第1主表面中隔着所述第1半导体区域而围住所述第2半导体区域的第2导电型的第5半导体区域；

所述第5半导体区域在围住所述第1半导体区域的外周方向上，以虚线状设置。

4.如权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中，

所述电场缓冲部，是从所述第1主表面朝着所述第2主表面，以规定的深度形成的第1沟槽区域；

所述第1沟槽区域在围住所述第1半导体区域的外周方向上，以虚线状设置。

5.如权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中，

所述第1半导体区域和所述第4半导体区域之间的寿命，与所述第1半导体区域和所述第3半导体区域之间的寿命不同。

6.如权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中，

所述连接部，包含导电性引线、电阻体或二极管。

7.如权利要求6所述的高耐压半导体装置，其中，

所述电阻体或所述二极管，夹住层间绝缘膜地在所述第1主表面上形成；

所述第3主电极，与所述电阻体或所述二极管电连接；

所述电阻体或所述二极管，与所述导电性引线电连接；

所述导电性引线，与所述第2主电极电连接。

8.如权利要求1所述的高耐压半导体装置，其中，

还具备第2沟槽区域，该第2沟槽区域从所述第1主表面贯通所述第1半导体区域地形成；

所述第2沟槽区域将与形成所述沟道区域的区域相比，位于所述第3半导体区域侧的所述第1半导体区域，分离成为包含所述沟道区域的所述第1半导体区域和不包含所述沟道区域的所述第1半导体区域地配置；

包含所述沟道区域的所述第1半导体区域和不包含所述沟道区域的所述第1半导体区域，被电连接。

9.如权利要求8所述的高耐压半导体装置，其中，

包含所述沟道区域的所述第1半导体区域的杂质浓度，设定成低于不包含所述沟道区域的所述第1半导体区域的杂质浓度。

10.如权利要求8所述的高耐压半导体装置，其中，

包含所述沟道区域的所述第1半导体区域的深度，设定成浅于不包含所述沟道区域的所述第1半导体区域的深度。