[发明专利]供给功率调节器和半导体制造装置有效
| 申请号： | 201010546627.9 | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN102122892A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 石津秀雄;铃木雅行 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气半导体技术服务;株式会社三幸 |
| 主分类号： | H02M5/293 | 分类号： | H02M5/293 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;孟祥海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种供给功率调节器和半导体制造装置。在将装填了多个衬底的衬底保持件送入反应炉内进行热处理的半导体制造装置中，具有设置在上述反应炉周围的加热器和调节对上述加热器的供给功率的供给功率调节器，上述供给功率调节器由将交流电源的交流电压变换为与控制信号的频率对应的交流功率并供给上述加热器的功率用IGBT变换器、和将因该IGBT变换器的切换动作而产生的反电动势再生并返回交流电源的再生用IGBT变换器构成。 | ||
| 搜索关键词： | 供给 功率 调节器 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种功率用IGBT转换器，其包括切换电路，该切换电路具有上下两级串联层叠的上级IGBT和下级IGBT，通过脉宽调制控制来对上述上级IGBT和上述下级IGBT的开闭进行控制，从而切换从交流电源输出的交流电压，并调整从上述交流电源提供给负载的功率。
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