[发明专利]供给功率调节器和半导体制造装置有效
申请号: | 201010546627.9 | 申请日: | 2006-04-03 |
公开(公告)号: | CN102122892A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 石津秀雄;铃木雅行 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气半导体技术服务;株式会社三幸 |
主分类号: | H02M5/293 | 分类号: | H02M5/293 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;孟祥海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供给 功率 调节器 半导体 制造 装置 | ||
1.一种功率用IGBT转换器,其包括切换电路,该切换电路具有上下两级串联层叠的上级IGBT和下级IGBT,通过脉宽调制控制来对上述上级IGBT和上述下级IGBT的开闭进行控制,从而切换从交流电源输出的交流电压,并调整从上述交流电源提供给负载的功率。
2.根据权利要求1所述的功率用IGBT转换器,其特征在于:
还包括整流电路,
利用该整流电路,将上述交流电压整流成正半波和负半波,根据极性将上述正半波和上述负半波分给上述上级IGBT和上述下级IGBT,
利用上述上级IGBT来切换上述正半波和上述负半波中的一者,利用上述下级IGBT来切换另一者。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的功率用IGBT转换器,其特征在于:
还包括缓冲电路,
利用该缓冲电路,将在上述上级IGBT和上述下级IGBT关闭时产生的反电动势作为热能而消耗。
4.根据权利要求3所述的功率用IGBT转换器,其特征在于:
还具有与上述上级IGBT和上述下级IGBT并联连接的续流二极管,
利用上述缓冲电路,将在上述上级IGBT和上述下级IGBT关闭时流过上述续流二极管的电流作为热能而消耗。
5.根据权利要求1所述的功率用IGBT转换器,其特征在于:
设有多个上述切换电路,上述多个切换电路被串联连接。
6.根据权利要求5所述的功率用IGBT转换器,其特征在于:
上述多个切换电路为2个切换电路,这2个切换电路为前级的切换电路和后级的扼流圈的一部分。
7.一种再生用IGBT转换器,其包括切换电路,该切换电路具有上下两级串联层叠的上级IGBT和下级IGBT,用上述上级IGBT和上述下级IGBT对通过从交流电源向负载提供功率而在上述负载侧产生的反电动势进行切换,从而得到再生功率,并将该再生功率返回给上述交流电源。
8.一种供给功率调节器,其包括功率用IGBT转换器和再生用IGBT转换器,其中,
上述功率用IGBT转换器,包括具有上下两级串联层叠的上级功率用IGBT和下级功率用IGBT的功率用切换电路,用上述上级功率用IGBT转换器切换从交流电源输出的交流电压的正半波和负半波中的一者,用上述下级功率用IGBT转换器切换另一者,从而调整从上述交流电源提供给负载的功率,
上述再生用IGBT转换器,包括具有上下两级串联层叠的上级再生用IGBT和下级再生用IGBT的切换电路,用上述上级再生用IGBT转换器切换在上述负载侧产生的反电动势的正半波和负半波中的一者,用上述下级再生用IGBT转换器切换另一者,从而得到再生功率,并将该再生功率返回给上述交流电源。
9.根据权利要求8所述的供给功率调节器,其特征在于:
还包括整流电路,
利用该整流电路将上述交流电压整流成正半波和负半波,根据极性将该正半波和负半波分给上述上级功率用IGBT和上述下级功率用IGBT,
利用上述上级功率用IGBT来切换上述正半波和上述负半波中的一者,利用上述下级功率用IGBT切换另一者。
10.根据权利要求8所述的供给功率调节器,其特征在于:
上述功率用IGBT转换器具有多个上述切换电路,该多个切换电路被串联连接。
11.一种半导体制造装置,具有权利要求8-10中任一项所述的供给功率调节器。
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