[发明专利]集成电路元件、半导体元件以及半导体工艺有效
| 申请号： | 201010543649.X | 申请日： | 2010-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102074545A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 林咏淇;吴文进;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一实施例提供一种集成电路元件，包括一半导体基板，具有一正面与一背面，且一集成电路组件形成于正面上；一层间介电层，形成于半导体基板的正面上；一接触插塞，形成于层间介电层中并电性连接集成电路组件；以及一导孔结构，形成于层间介电层中并延伸穿过半导体基板，其中导孔结构包括一金属层、围绕金属层的一金属籽晶层、围绕金属籽晶层的一阻障层、以及位于金属层与金属籽晶层之间的一阻挡层，阻挡层包括镁、铁、钴、镍、钛、铬、钽、钨或镉的至少其中之一。本发明可大幅减少镀铜以及后续的研磨工艺所耗费的时间，进而减少三维堆叠的集成电路的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 半导体 以及 工艺 | ||
【主权项】：
一种集成电路元件，包括：一半导体基板，具有一正面与一背面，且一集成电路组件形成于该正面上；一层间介电层，形成于该半导体基板的该正面上；一接触插塞，形成于该层间介电层中并电性连接该集成电路组件；以及一导孔结构，形成于该层间介电层中并延伸穿过该半导体基板，其中该导孔结构包括一金属层、围绕该金属层的一金属籽晶层、围绕该金属籽晶层的一阻障层、以及位于该金属层与该金属籽晶层之间的一阻挡层，该阻挡层包括镁、铁、钴、镍、钛、铬、钽、钨或镉的至少其中之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010543649.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
