[发明专利]集成电路元件、半导体元件以及半导体工艺

权利要求书

1.一种集成电路元件，包括：

一半导体基板，具有一正面与一背面，且一集成电路组件形成于该正面上；

一层间介电层，形成于该半导体基板的该正面上；

一接触插塞，形成于该层间介电层中并电性连接该集成电路组件；以及

一导孔结构，形成于该层间介电层中并延伸穿过该半导体基板，其中该导孔结构包括一金属层、围绕该金属层的一金属籽晶层、围绕该金属籽晶层的一阻障层、以及位于该金属层与该金属籽晶层之间的一阻挡层，该阻挡层包括镁、铁、钴、镍、钛、铬、钽、钨或镉的至少其中之一。

2.如权利要求1所述的集成电路元件，其中该金属籽晶层包括一底部部分，该底部部分相邻于该半导体基板的该背面，且该金属籽晶层的该底部部分并未覆盖有该阻挡层。

3.如权利要求1所述的集成电路元件，其中该金属层包括铜，且该金属籽晶层包括铜，其中该阻障层包括氮化钽、钽、氮化钛或钛的至少其中之一。

4.如权利要求1所述的集成电路元件，其中该导孔结构还包括一围绕该阻障层的保护层。

5.如权利要求1所述的集成电路元件，其中该导孔结构包括一暴露于该半导体基板的该背面的端部。

6.如权利要求1所述的集成电路元件，还包括：

一半导体组件，堆叠于该半导体基板的该背面上，并电性连接该导孔结构。

7.一种半导体工艺，包括：

提供一半导体基板，其具有一正面与一背面；

形成一由该半导体基板的该正面延伸入至少部分该半导体基板中的开口，其中该开口的深宽比大于5；

于该开口中形成一金属籽晶层，其中该金属籽晶层包括相邻于该开口的侧壁的一侧壁部分以及相邻于该开口的底部的一底部部分；

于至少部分的该金属籽晶层的该侧壁部分上形成一阻挡层；以及

于该阻挡层与该金属籽晶层上镀一金属层，以填满该开口，其中该阻挡层包括镁、铁、钴、镍、钛、铬、钽、钨或镉的至少其中之一。

8.如权利要求7所述的半导体工艺，其中该阻挡层并未形成在该金属籽晶层的该底部部分上。

9.如权利要求7所述的半导体工艺，还包括：

在形成该金属籽晶层之前，形成一共形地覆盖该开口的阻障层。

10.如权利要求9所述的半导体工艺，还包括：

在形成该阻障层之前，形成一共形地覆盖该开口的保护层。

11.如权利要求7所述的半导体工艺，还包括：

于该半导体基板的该背面上进行一薄化工艺以暴露出该金属层。