[发明专利]一种多孔铜配位聚合物材料及其制备方法和应用无效

专利信息
申请号: 201010541221.1 申请日: 2010-11-12
公开(公告)号: CN102002061A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 程鹏;张振杰;师唯 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C07F1/08 分类号: C07F1/08;B01J20/26;B01J20/30
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种多孔铜配位聚合物材料,选用3,5-吡啶二酸(3,5-Pyridinedicarboxyli cacid)为配体,合成具有三维纳米孔洞结构的铜配位聚合物,其化学式表示为:[Cu3(3,5-PDA)2.5Cl(DMF)2]·Solvent,其中:3,5-PDA为3,5-吡啶二酸,DMF为N,N-二甲基甲酰胺;其制备步骤为:1)将CuCl2·2H2O、PbCl2、3,5-PDA和DMF的混合物放入水热反应釜中进行反应;2)降温至40°C,热过滤、经DMF洗涤后即得目标产品;该多孔铜配位聚合物应用于储氢材料。本发明的优点是:工艺简单、收率高且产品具有很高的热稳定性,较已有的储氢材料更为优越。
搜索关键词: 一种 多孔 配位聚合 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种多孔铜配位聚合物材料,其特征在于:选用3,5-吡啶二酸(3,5-Pyridinedicarboxylicacid)为配体,合成具有三维纳米孔洞结构的铜配位聚合物,其化学式表示为:[Cu3(3,5-PDA)2.5Cl(DMF)2]∙Solvent,其中:3,5-PDA为3,5-吡啶二酸,DMF为N,N-二甲基甲酰胺;产物晶体属正交晶系,空间群为Cmc21,晶胞参数为:a=23.330(5)Å,b=19.081(4)Å,c=18.794(4)Å,α=β=γ=90°;所述聚合物材料中有三种配位环境的铜离子和存有三种连接模式的3,5-PDA配体,Cu1分别与三个吡啶环的氮原子以及两个氯离子配位;Cu2分别与来自两个3,5-PDA的两个吡啶环的氮原子、来自一个3,5-PDA的一个单齿羧基氧原子、来自另外一个3,5-PDA的两个双齿螯合的羧基氧原子以及一个水分子配位;Cu3分别与来自四个PDA的四个羧基配位形成浆轮状的次级构筑单元;Cu-O键长为1.950(6)~2.148(8)Å,Cu-N键长为2.003(7)~2.087(10)Å,Cu-Cl键长为2.420(6)Å和2.366(8)Å;该产物中形成的孔道是S型,孔直径12Å。
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