[发明专利]一种多孔铜配位聚合物材料及其制备方法和应用无效
申请号: | 201010541221.1 | 申请日: | 2010-11-12 |
公开(公告)号: | CN102002061A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 程鹏;张振杰;师唯 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | C07F1/08 | 分类号: | C07F1/08;B01J20/26;B01J20/30 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 配位聚合 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种多孔铜配位聚合物材料,其特征在于:选用3,5-吡啶二酸(3,5-Pyridinedicarboxylic acid)为配体,合成具有三维纳米孔洞结构的铜配位聚合物,其化学式表示为:[Cu3(3,5-PDA)2.5Cl(DMF)2]?Solvent,其中:3,5-PDA为3,5-吡啶二酸,DMF为N,N-二甲基甲酰胺;产物晶体属正交晶系,空间群为Cmc21,晶胞参数为:a = 23.330(5) ?,b = 19.081(4) ?,c = 18.794(4) ?,α= β = γ = 90°;所述聚合物材料中有三种配位环境的铜离子和存有三种连接模式的3,5-PDA配体,Cu1分别与三个吡啶环的氮原子以及两个氯离子配位;Cu2分别与来自两个3,5-PDA的两个吡啶环的氮原子、来自一个3,5-PDA的一个单齿羧基氧原子、来自另外一个3,5-PDA的两个双齿螯合的羧基氧原子以及一个水分子配位;Cu3分别与来自四个PDA的四个羧基配位形成浆轮状的次级构筑单元;Cu-O键长为1.950(6)~2.148(8) ?,Cu-N键长为2.003(7)~2.087(10) ?,Cu-Cl键长为2.420(6) ?和2.366(8) ?;该产物中形成的孔道是S型,孔直径12 ?。
2.一种如权利要求1所述多孔铜配位聚合物材料的制备方法,其特征在于包括下述步骤:
1) 将CuCl2·2H2O、PbCl2、3,5-PDA和DMF的混合物放入水热反应釜的聚四氟乙烯内胆中,进行反应;
2) 在降温速度为1.4 °C/h下降温至40 °C,热过滤、经DMF洗涤后即得目标产品。
3.根据权利要求2所述多孔铜配位聚合物材料的制备方法,其特征在于:所述混合物中CuCl2·2H2O:PbCl2:3,5-PDA:DMF的摩尔比为3:1:3:7.7。
4.根据权利要求2所述多孔铜配位聚合物材料的制备方法,其特征在于:所述反应温度为80 °C、反应时间为72小时。
5.根据权利要求2所述多孔铜配位聚合物材料的制备方法,其特征在于:所述DMF洗涤次数为10次。
6.一种如权利要求1所述多孔铜配位聚合物材料的应用,其特征在于:所述多孔铜配位聚合物材料应用于储氢材料。
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