[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010539006.8 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102074579A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 车载汉;李倞镐;金善玖;崔莹石;金胄浩;蔡桭荣;吴仁泽 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;许向华 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括第二导电类型的深阱，该第二导电类型的深阱配置在衬底上方。该深阱包括离子注入区及扩散区。第一导电类型的第一阱形成在扩散区中。栅电极延伸在离子注入区及扩散区的部分之上，且与第一阱部分地重叠。离子注入区具有均匀杂质浓度，而扩散区的杂质浓度自在离子注入区与扩散区之间的边界界面处的最高浓度变化至在扩散区的最远离该边界界面的部分处的最低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第二导电类型的深阱，其配置在衬底上方以包括第一离子注入区及第一扩散区；第一导电类型的第一阱，其配置在第二导电类型的深阱中以接触第一扩散区；及栅电极，其配置在所述衬底上方以延伸跨越第一离子注入区与第一扩散区两者的部分，所述栅电极使其一个端部与第一导电类型的第一阱的一部分重叠，其中第一扩散区具有如下的杂质掺杂浓度：在第一离子注入区与第一扩散区之间的界面处最高，且随着第一扩散区移动远离第一离子注入区与第一扩散区之间的所述界面而降低。
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