[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第二导电类型的深阱，其配置在衬底上方以包括第一离子注入区及第一扩散区；

第一导电类型的第一阱，其配置在第二导电类型的深阱中以接触第一扩散区；及

栅电极，其配置在所述衬底上方以延伸跨越第一离子注入区与第一扩散区两者的部分，所述栅电极使其一个端部与第一导电类型的第一阱的一部分重叠，

其中第一扩散区具有如下的杂质掺杂浓度：在第一离子注入区与第一扩散区之间的界面处最高，且随着第一扩散区移动远离第一离子注入区与第一扩散区之间的所述界面而降低。

2.如权利要求1的半导体装置，进一步包括：

第二导电类型的内埋杂质层，其配置在第二导电类型的深阱下面，第二导电类型的内埋杂质层具有均匀杂质掺杂浓度。

3.如权利要求2的半导体装置，其中第二导电类型的内埋杂质层的均匀杂质掺杂浓度高于在第一离子注入区与第一扩散区之间的所述界面处的第二导电类型的深阱的杂质掺杂浓度。

4.如权利要求1的半导体装置，进一步包括：

第一导电类型的块体拾取区，其配置在第一导电类型的第一阱中，

其中第一扩散区的杂质掺杂浓度在第一导电类型的块体拾取区下的第一扩散区的一部分中最低。

5.如权利要求1的半导体装置，其中第一离子注入区经由杂质离子注入工艺而形成，且

其中第一扩散区通过在第一离子注入区的一部分中扩散杂质而形成。

6.如权利要求1的半导体装置，进一步包括：

绝缘层，其插入于所述衬底与所述栅电极之间；

第二导电类型的源极区，其配置在第一导电类型的第一阱中且邻近所述栅电极；

第二导电类型的漏极区，其配置在第一离子注入区中且与所述栅电极隔开；及

第二导电类型的第二阱，其配置在第一离子注入区中以围绕第二导电类型的漏极区。

7.如权利要求1的半导体装置，进一步包括：

第二导电类型的内埋杂质层，其包括形成在第一离子注入区下的第二离子注入区及形成在第一扩散区下的第二扩散区，第二扩散区具有随着其移动远离在第二离子注入区与第二扩散区之间的界面而降低的杂质掺杂浓度。

8.如权利要求7的半导体装置，其中第二离子注入区具有比第一离子注入区的杂质掺杂浓度高的杂质掺杂浓度。

9.如权利要求7的半导体装置，其中第二扩散区具有比第一扩散区的线宽更宽的线宽。

10.如权利要求7的半导体装置，进一步包括：

第一导电类型的块体拾取区，其配置在第一导电类型的第一阱中，

其中第二扩散区的杂质掺杂浓度在第一导电类型的块体拾取区下的第二扩散区的一部分中最低。

11.如权利要求7的半导体装置，其中第二离子注入区经由杂质离子注入工艺而形成，且

其中第二扩散区通过在第二离子注入区的一部分中扩散杂质而形成。

12.一种半导体装置，包括：

第二导电类型的深阱，其配置在第一导电类型的衬底上方；

第二导电类型的内埋杂质层，其配置在第二导电类型的深阱下以包括离子注入区及扩散区；

第一导电类型的第一阱，其配置在第二导电类型的深阱的所述扩散区中；

栅电极，其配置在所述衬底上方以延伸跨越第一离子注入区与第一扩散区两者的部分，所述栅电极使其一个端部与第一导电类型的第一阱的一部分重叠，

其中所述扩散区具有如下的杂质掺杂浓度：在所述离子注入区与所述扩散区之间的界面处最高，且随着所述扩散区移动远离在所述离子注入区与所述扩散区之间的所述界面而降低。

13.如权利要求12的半导体装置，其中所述离子注入区具有比第二导电类型的深阱的杂质掺杂浓度高的杂质掺杂浓度。

14.如权利要求12的半导体装置，进一步包括：

第一导电类型的块体拾取区，其配置在第一导电类型的第一阱中，

其中所述扩散区的杂质掺杂浓度在第一导电类型的块体拾取区下的所述扩散区的一部分中最低。

15.如权利要求12的半导体装置，其中所述离子注入区经由杂质离子注入工艺而形成，且

其中所述扩散区通过在所述离子注入区的一部分中扩散杂质而形成。