[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 201010535503.0 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102064154A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 黄见翎;吴逸文;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L23/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路结构，包括：一半导体基板；一钝化层，位于该半导体基板上；一高分子层，位于该钝化层上；一内连线线路，形成于该钝化层与该高分子层之间；以及一保护层，形成于该内连线线路与该高分子层之间；其中该保护层为含铜材料层，且包括III族元素、IV族元素、或V族元素中至少一个。形成于钝化层上的铜内连线被含铜材料层保护。上述含铜材料层含有III族元素、IV族元素、V族元素、或上述的组合。本发明可避免后钝化内连线氧化而在后续凸块工艺不需额外蚀刻步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：一半导体基板；一钝化层，位于该半导体基板上；一高分子层，位于该钝化层上；一内连线线路，形成于该钝化层与该高分子层之间；以及一保护层，形成于该内连线线路与该高分子层之间；其中该保护层为含铜材料层，且包括III族元素、IV族元素、或V族元素中至少一个。
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