[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一半导体基板；

一钝化层，位于该半导体基板上；

一高分子层，位于该钝化层上；

一内连线线路，形成于该钝化层与该高分子层之间；以及

一保护层，形成于该内连线线路与该高分子层之间；

其中该保护层为含铜材料层，且包括III族元素、IV族元素、或V族元素中至少一个。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该保护层为氮化铜锗层。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该钝化层具有一开口露出部分的该半导体基板，且该内连线线路是形成于部分该钝化层上并填入该钝化层的开口。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，还包括一钛层位于该内连线线路下，且该钛层衬垫该钝化层的开口的底部及侧壁；以及一铜层形成于该内连线线路与该钛层之间。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中该高分子层具有一开口露出部分该保护层，以及一凸块结构位于该高分子层上，且该凸块结构经由该高分子的该开口电性连接至该保护层。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中该凸块结构包括一铜柱，与一盖层位于该铜柱上，其中该盖层包括含镍层、含锡层、或上述的组合中至少一个。

7.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中该凸块结构包括一含锡层位于该铜柱的侧壁上。

8.一种集成电路结构，包括：

一半导体基板，包括一接触区；

一钝化层，位于该半导体基板上，且该钝化层具有一开口露出部分该接触区；

一铜线路位于部分该钝化层上，且填入该开口以电性连接至该接触区；以及

一保护层，形成于该铜连线的表面上；

其中该保护层为含铜材料层，且包括III族元素、IV族元素、或V族元素中至少一个。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中该保护层是氮化铜锗层、铜锗层、硅化铜层、硅氮化铜层、硅氮化铜锗层、氮化铜层、磷化铜层、碳化铜层、硼化铜层、或上述的组合中至少一个。

10.根据权利要求8所述的集成电路结构，还包括一铜柱位于该保护层上。