[发明专利]一种生产太阳能级多晶硅的方法无效
| 申请号： | 201010531800.8 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102464318A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘春霞;马瑞新 | 申请（专利权）人： | 刘春霞;马瑞新 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种生产太阳能级多晶硅的方法。技术领域：本发明涉及冶金、化工，尤其是、太阳能电池制造行业的多晶硅生产方法。本发明提供了一种太阳能级多晶硅的生产方法。方法是将金属镁经过真空升华提纯以后加热变为蒸气，用金属镁蒸气还原SiCl4气体来生产太阳能级多晶硅。SiCl4的来源是改良西门子工艺的副产品，也可以是冶金硅经过氯化、提纯以后的SiCl4。SiCl4经过镁还原得到多晶硅和氯化镁。多晶硅经过简单酸洗、水洗即可达到太阳能光伏电池的要求；另一种还原产物——氯化镁可以通过电解重新变成金属镁和氯气。金属镁用于还原，氯气用于生产SiCl4或者生产三氯硅烷，实现闭路循环，无污染物排放。与现有技术相比，本发明所述方法生产成本低、投资小、无污染物排放。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生产 太阳 能级 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级多晶硅的生产方法，其特征在于以金属镁蒸气还原SiCl4。
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