[发明专利]一种生产太阳能级多晶硅的方法无效
| 申请号： | 201010531800.8 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102464318A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘春霞;马瑞新 | 申请（专利权）人： | 刘春霞;马瑞新 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生产 太阳 能级 多晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳能级多晶硅的生产方法，其特征在于以金属镁蒸气还原SiCl4。
2.按照权利要求1所述的生产方法，其特征在于金属镁经过升华提纯。
3.按照权利要求1/2所述的生产方法，其特征在于金属镁蒸气的产生是将金属镁加热而产生的。
4.按照权利要求1所述的生产方法，其特征在于SiCl4是改良西门子工艺生产多晶硅的副产品。
5.按照权利要求1所述的生产方法，其特征在于SiCl4是工业硅与氯气反应生成的。
6.按照权利要求1、2、3、4、5所述的生产方法，其特征在于将金属镁蒸气与SiCl4气体通入到加热至800℃～1550℃的反应炉中，经过反应得到多晶硅和氯化镁。
7.按照权利要求1～6所述的生产方法，其特征在于得到的氯化镁经过熔盐电解又得到了金属镁和氯气。
8.按照权利要求7所述的生产方法，其特征在于得到的氯气与氢气反应得到氯化氢气体，用于三氯硅烷的合成。
9.按照权利要求7所述的生产方法，其特征在于得到的氯气与硅反应得到四氯化硅。
10.按照权利要求7所述的生产方法，其特征在于生产过程为闭路循环过程，无三废排放。
11.按照权利要求1所述的生产方法，其特征在于得到的多晶硅经过简单的酸洗、水洗即可达到太阳能级多晶硅的纯度。
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